单双极晶体管

结果 : 4
制造商
onsemiSTMicroelectronics
包装
散装管件
产品状态
停产在售
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100 mA500 mA1.2 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
160 V180 V300 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
500mV @ 5mA,50mA700mV @ 200mA,1A-
电流 - 集电极截止(最大值)
1µA(ICBO)100µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
30 @ 50mA,10V35 @ 5mA,5V100 @ 10mA,5V160 @ 300mA,5V
功率 - 最大值
1.2 W20.8 W
频率 - 跃迁
155MHz180MHz-
供应商器件封装
SOT-32-3TO-126-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-126
KSC2690AYSTU
TRANS NPN 160V 1.2A TO126-3
onsemi
6,523
现货
3,840
工厂
1 : ¥5.75000
管件
-
管件
在售
NPN
1.2 A
160 V
700mV @ 200mA,1A
1µA(ICBO)
160 @ 300mA,5V
1.2 W
155MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126-3
TO-126
KSC2690AYS
TRANS NPN 160V 1.2A TO126-3
onsemi
2,367
现货
1 : ¥5.75000
散装
-
散装
在售
NPN
1.2 A
160 V
700mV @ 200mA,1A
1µA(ICBO)
35 @ 5mA,5V
1.2 W
155MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126-3
ST13003-K
MJE340
TRANS NPN 300V 0.5A SOT32-3
STMicroelectronics
1,153
现货
1 : ¥5.91000
管件
-
管件
在售
NPN
500 mA
300 V
-
100µA(ICBO)
30 @ 50mA,10V
20.8 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
SOT-32-3
TO-126
KSA1142OSTU
TRANS PNP 180V 0.1A TO126-3
onsemi
1,747
现货
1 : ¥9.11000
管件
-
管件
停产
PNP
100 mA
180 V
500mV @ 5mA,50mA
1µA(ICBO)
100 @ 10mA,5V
1.2 W
180MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126-3
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。