单齐纳二极管

结果 : 4
包装
剪切带（CT）卷带（TR）散装
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
5.6 V6 V6.2 V
功率 - 最大值
500 mW5 W
阻抗（最大值）(Zzt)
1 Ohms7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
1 µA @ 2 V1 µA @ 3 V5 µA @ 3.5 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 200 mA1.2 V @ 1 A
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向T-18，轴向
供应商器件封装
DO-35轴向
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
容差
功率 - 最大值
阻抗（最大值）(Zzt)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SurmeticP6KE_6.8A
1N5339BRLG
DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL
onsemi
22,702
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.41018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
5.6 V
±5%
5 W
1 Ohms
1 µA @ 2 V
1.2 V @ 1 A
-65°C ~ 200°C
通孔
T-18，轴向
轴向
DO-35
1N5233B
DIODE ZENER 6V 500MW DO35
onsemi
73,392
现货
1 : ¥0.90000
散装
-
散装
在售
6 V
±5%
500 mW
7 Ohms
5 µA @ 3.5 V
1.2 V @ 200 mA
-65°C ~ 200°C
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
DO-35
1N5233BTR
DIODE ZENER 6V 500MW DO35
onsemi
56,233
现货
65,000
工厂
1 : ¥0.90000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.14246
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
6 V
±5%
500 mW
7 Ohms
5 µA @ 3.5 V
1.2 V @ 200 mA
-65°C ~ 200°C
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
SurmeticP6KE_6.8A
1N5341BRLG
DIODE ZENER 6.2V 5W AXIAL
onsemi
1,007
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.41018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
6.2 V
±5%
5 W
1 Ohms
1 µA @ 3 V
1.2 V @ 1 A
-65°C ~ 200°C
通孔
T-18，轴向
轴向
显示
/ 4

单齐纳二极管

齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。