单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 2OptiMOS™ 5TrenchFET® Gen V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
100 V120 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta），99A（Tc）13.4A（Ta），98A（Tc）19A（Ta），77.4A（Tc）22A（Ta），175A（Tc）80A（Tc）87A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7.5V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 50A，10V7.7 毫欧 @ 50A，10V7.8 毫欧 @ 30A，10V7.9 毫欧 @ 20A，10V8 毫欧 @ 50A，10V9.3 毫欧 @ 40A，109.3 毫欧 @ 44A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 112µA2.5V @ 250µA3V @ 351µA4V @ 110µA4V @ 250µA4.6V @ 107µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33 nC @ 10 V40.7 nC @ 10 V49 nC @ 10 V71 nC @ 10 V79 nC @ 10 V88 nC @ 10 V97 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2400 pF @ 75 V3224 pF @ 60 V3230 pF @ 75 V3740 pF @ 75 V5700 pF @ 60 V7200 pF @ 50 V7400 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）
2.9W3W（Ta），189W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）139W（Tc）156W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）PG-TDSON-8PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-7PowerDI5060-8PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC077N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Infineon Technologies
17,884
现货
1 : ¥22.00000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.26431
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
13.4A（Ta），98A（Tc）
10V
7.7 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 110µA
88 nC @ 10 V
±20V
5700 pF @ 60 V
-
139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Infineon Technologies
1,171
现货
1 : ¥27.34000
剪切带（CT）
5,000 : ¥12.77754
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
87A（Tc）
8V，10V
9.3 毫欧 @ 44A，10V
4.6V @ 107µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
3230 pF @ 75 V
-
139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
DMPH4015SPSQ-13
DMT12H007LPS-13
MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
6,377
现货
132,500
工厂
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.42852
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
90A（Tc）
4.5V，10V
7.8 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
3224 pF @ 60 V
-
2.9W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC0302LSATMA1
MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Infineon Technologies
9,853
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.55479
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
12A（Ta），99A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 50A，10V
2.4V @ 112µA
79 nC @ 10 V
±20V
7400 pF @ 60 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8 Single
SIR570DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Vishay Siliconix
2,609
现货
1 : ¥19.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.79503
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
19A（Ta），77.4A（Tc）
7.5V，10V
7.9 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
3740 pF @ 75 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
2,384
现货
1 : ¥23.48000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.18272
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
12A（Ta），99A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 50A，10V
2.4V @ 112µA
79 nC @ 10 V
±20V
7400 pF @ 60 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS002N10MCLT1G
PTNG 100V LL SO8FL HE
onsemi
764
现货
1 : ¥26.35000
剪切带（CT）
1,500 : ¥13.63189
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
22A（Ta），175A（Tc）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
3V @ 351µA
97 nC @ 10 V
±20V
7200 pF @ 50 V
-
3W（Ta），189W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
BSCXXXX
BSC0402NSATMA1
MOSFET N-CH 150V 80A TDSON-8
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥23.07000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.76818
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
80A（Tc）
8V，10V
9.3 毫欧 @ 40A，10
4.6V @ 107µA
33 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 75 V
-
139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。