IGBT 模块

结果 : 13
制造商
IXYSMicrochip TechnologyVishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-GenX3™HEXFRED®XPT™, GenX3™XPT™, GenX4™
包装
散装管件
IGBT 类型
-NPTPT沟槽型场截止沟道
配置
单斩波器单路
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A68 A116 A124 A139 A150 A169 A187 A240 A281 A300 A380 A
功率 - 最大值
291 W379 W390 W543 W658 W660 W781 W830 W890 W1070 W1087 W1200 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.5V @ 15V，100A1.7V @ 15V，140A2.05V @ 15V，100A2.1V @ 15V，75A2.55V @ 15V，100A2.55V @ 15V，80A2.6V @ 15V，75A2.7V @ 15V，75A2.8V @ 15V，50A3.2V @ 15V，120A3.2V @ 15V，85A3.4V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）
25 µA50 µA100 µA200 µA500 µA1 mA4 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
3.45 nF @ 25 V4.4 nF @ 25 V4.8 nF @ 25 V5.5 nF @ 25 V6.15 nF @ 25 V8.3 nF @ 25 V8.4 nF @ 25 V9.35 nF @ 25 V26 nF @ 25 V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳
ISOTOPSOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装
ISOTOP®SOT-227SOT-227（ISOTOP®）SOT-227BSOT-227B - miniBLOC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
244
现货
1 : ¥372.23000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
单路
1200 V
281 A
1087 W
2.05V @ 15V，100A
100 µA
9.35 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227
IXYK1x0xNxxxx
IXDN75N120
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
IXYS
159
现货
1 : ¥387.01000
管件
-
管件
在售
NPT
单路
1200 V
150 A
660 W
2.7V @ 15V，75A
4 mA
5.5 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227B
APT2X60D60J
APT75GN120JDQ3
IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
Microchip Technology
150
现货
1 : ¥296.37000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
单路
1200 V
124 A
379 W
2.1V @ 15V，75A
200 µA
4.8 nF @ 25 V
标准
无
-55°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
ISOTOP
ISOTOP®
IXYK1x0xNxxxx
IXYN120N120C3
IGBT MOD 1200V 240A SOT227B
IXYS
208
现货
1 : ¥330.20000
管件
管件
在售
-
单路
1200 V
240 A
1200 W
3.2V @ 15V，120A
25 µA
-
标准
无
-55°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227B - miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXGN200N60B3
IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B
IXYS
724
现货
1 : ¥464.67000
管件
管件
在售
PT
单路
600 V
300 A
830 W
1.5V @ 15V，100A
50 µA
26 nF @ 25 V
标准
无
-55°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227B
196
现货
1 : ¥304.99000
管件
管件
在售
沟道
单路
1200 V
139 A
658 W
2.55V @ 15V，80A
100 µA
4.4 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227
193
现货
1 : ¥334.14000
散装
散装
在售
沟道
单路
1200 V
187 A
890 W
2.55V @ 15V，100A
100 µA
6.15 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227
154
现货
1 : ¥288.08000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
单路
1200 V
169 A
781 W
2.6V @ 15V，75A
100 µA
-
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227
129
现货
1 : ¥293.25000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
单斩波器
1200 V
68 A
291 W
2.8V @ 15V，50A
50 µA
-
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227
68
现货
1 : ¥215.26000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
单路
1200 V
169 A
781 W
2.6V @ 15V，75A
100 µA
-
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227
APT2X60D60J
APT85GR120J
IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
Microchip Technology
15
现货
1 : ¥287.84000
管件
-
管件
在售
NPT
单路
1200 V
116 A
543 W
3.2V @ 15V，85A
1 mA
8.4 nF @ 25 V
标准
无
-55°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227
APT2X60D60J
APT40GF120JRD
IGBT NPT COMBI 1200V 40A ISOTOP
Microchip Technology
6
现货
1 : ¥348.42000
管件
-
管件
在售
-
单路
1200 V
60 A
390 W
3.4V @ 15V，50A
500 µA
3.45 nF @ 25 V
标准
无
-55°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227（ISOTOP®）
IXYK1x0xNxxxx
IXYN140N120A4
IGBT 140A 1200V SOT227B MINIBLOC
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥428.06000
管件
管件
在售
PT
单路
1200 V
380 A
1070 W
1.7V @ 15V，140A
25 µA
8.3 nF @ 25 V
标准
无
-55°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227B
显示
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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。