单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemi
系列
AlphaSGT™PowerTrench®UltraFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta），80A（Tc）40A（Tc）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.2 毫欧 @ 20A，10V9 毫欧 @ 80A，10V14 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
45 nC @ 10 V110 nC @ 10 V238 nC @ 20 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1650 pF @ 30 V3790 pF @ 25 V6000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
48W（Tc）310W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,697
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.67849
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
4.5V，10V
6.2 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 30 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
TO-263
FDB3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
onsemi
4,721
现货
1 : ¥24.88000
剪切带（CT）
800 : ¥14.99973
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12A（Ta），80A（Tc）
6V，10V
9 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
310W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
HUF75645S3ST
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
onsemi
14,960
现货
1 : ¥25.53000
剪切带（CT）
800 : ¥15.41104
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
75A（Tc）
10V
14 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 250µA
238 nC @ 20 V
±20V
3790 pF @ 25 V
-
310W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。