单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
OptiMOS™ 5Ultra X4
产品状态
Digi-Key 停止提供在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
112A（Tc）130A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.2 毫欧 @ 75A，10V7.6 毫欧 @ 56A，108.5 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA4.6V @ 160µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V87 nC @ 10 V105 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4700 pF @ 75 V4770 pF @ 25 V5500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
214W（Tc）400W（Tc）480W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO220-3TO-220-3TO-247
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247_IXFH
IXTH150N15X4
MOSFET N-CH 150V 150A TO247
Littelfuse Inc.
397
现货
660
工厂
1 : ¥95.89000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
150A（Tc）
10V
7.2 毫欧 @ 75A，10V
4.5V @ 250µA
105 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 25 V
-
480W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247
TO-247-3
TO-220-3
IPP076N15N5AKSA1
MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Infineon Technologies
602
现货
1 : ¥43.35000
管件
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
112A（Tc）
8V，10V
7.6 毫欧 @ 56A，10
4.6V @ 160µA
21 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 75 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-220-3
IXTP130N15X4
MOSFET N-CH 150V 130A TO220
Littelfuse Inc.
1
现货
1,400
工厂
1 : ¥67.16000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
130A（Tc）
10V
8.5 毫欧 @ 70A，10V
4.5V @ 250µA
87 nC @ 10 V
±20V
4770 pF @ 25 V
-
400W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。