RF FET,MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
安装类型
底座安装表面贴装型
封装/外壳
NI-780-4NI-780S-4L
供应商器件封装
NI-780-4NI-780S-4L
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流(安培)
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
NI-780-4
MRFE6VP6300HR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI780
NXP USA Inc.
109
现货
1 : ¥1,130.41000
剪切带(CT)
50 : ¥1,053.99940
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
230MHz
26.5dB
50 V
-
-
100 mA
300W
130 V
底座安装
NI-780-4
NI-780-4
MRFE6VP6300HS
MRFE6VP6300HSR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI780
NXP USA Inc.
0
现货
查看交期
50 : ¥1,053.99940
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
LDMOS
230MHz
26.5dB
50 V
-
-
100 mA
300W
130 V
表面贴装型
NI-780S-4L
NI-780S-4L
显示
/ 2

RF FET,MOSFET


射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。