单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）17.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
330 毫欧 @ 9A，10V1.25 欧姆 @ 3A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
450 pF @ 100 V1500 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
90W（Tc）250W（Tc）
供应商器件封装
D2PAKDPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_DPAK(TO252-3)
STD6N95K5
MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
STMicroelectronics
12,763
现货
1 : ¥22.00000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.69656
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
9A（Tc）
10V
1.25 欧姆 @ 3A，10V
5V @ 100µA
13 nC @ 10 V
±30V
450 pF @ 100 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
D²PAK
STB20N95K5
MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
STMicroelectronics
860
现货
1 : ¥62.56000
剪切带（CT）
1,000 : ¥35.47399
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
17.5A（Tc）
10V
330 毫欧 @ 9A，10V
5V @ 100µA
40 nC @ 10 V
±30V
1500 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。