IGBT 模块

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	IGBT 类型	配置	电压 - 集射极击穿（最大值）	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	功率 - 最大值	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Vce 时输入电容 (Cies)	输入	NTC 热敏电阻	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

VS-GT180DA120U IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	303 现货	1 : ¥372.23000 管件	HEXFRED®	管件	在售	沟槽型场截止	单路	1200 V	281 A	1087 W	2.05V @ 15V，100A	100 µA	9.35 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	SOT-227-4，miniBLOC	SOT-227
IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B IXYS	159 现货	1 : ¥387.01000 管件	-	管件	在售	NPT	单路	1200 V	150 A	660 W	2.7V @ 15V，75A	4 mA	5.5 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	SOT-227-4，miniBLOC	SOT-227B
APT150GN120J IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP Microchip Technology	161 现货	1 : ¥389.64000 管件	-	管件	在售	沟槽型场截止	单路	1200 V	215 A	625 W	2.1V @ 15V，150A	100 µA	9.5 nF @ 25 V	标准	无	-55°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	ISOTOP	ISOTOP®
VS-40MT120PHAPBF MTP - HALF BRIDGE IGBT Vishay General Semiconductor - Diodes Division	110 现货	1 : ¥498.83000 管件	-	管件	在售	沟槽型场截止	半桥	1200 V	75 A	305 W	2.65V @ 15V，40A	50 µA	3.2 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	通孔	12-MTP 模块	12-MTP
FF200R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 240A 1100W Infineon Technologies	69 现货	1 : ¥777.22000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	1200 V	240 A	1100 W	2.15V @ 15V，200A	5 mA	14 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FZ400R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 400A 2400W Infineon Technologies	42 现货	1 : ¥777.22000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	单路	1200 V	400 A	2400 W	2.1V @ 15V，400A	5 mA	28 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FF200R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 260A 680W Infineon Technologies	12 现货 164 市场	3 : ¥844.87667 散装 1 : ¥903.65000 托盘	C	散装托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	600 V	260 A	680 W	1.9V @ 15V，200A	5 mA	-	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FZ600R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 600A 3000W Infineon Technologies	37 现货	1 : ¥943.96000 托盘	C	托盘	在售	-	单路	1200 V	600 A	3000 W	2.1V @ 15V，600A	5 mA	1.7 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块
FF300R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 460A 1600W Infineon Technologies	33 现货	1 : ¥943.96000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	2 个独立式	1200 V	460 A	1600 W	2.15V @ 15V，300A	5 mA	19 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FP75R12KE3BOSA1 IGBT MOD 1200V 105A 355W Infineon Technologies	32 现货	1 : ¥1,191.00000 托盘	-	托盘	在售	NPT	单路	1200 V	105 A	355 W	2.2V @ 15V，75A	5 mA	5.3 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FF450R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 580A 2400W Infineon Technologies	120 现货	1 : ¥1,196.17000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	1200 V	450 A	2400 W	2.15V @ 15V，450A	5 mA	28 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FS200R07N3E4RBOSA1 IGBT MOD 650V 200A 600W Infineon Technologies	48 现货	1 : ¥1,231.39000 托盘	EconoPACK™ 3	托盘	在售	沟槽型场截止	三相反相器	650 V	200 A	600 W	1.95V @ 15V，200A	1 mA	13 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FZ900R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 900A 4300W Infineon Technologies	137 现货	1 : ¥1,235.33000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	单路	1200 V	900 A	4300 W	2.1V @ 15V，900A	5 mA	56 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FP100R06KE3BOSA1 IGBT MOD 600V 100A 335W Infineon Technologies	55 现货	1 : ¥1,268.74000 托盘	EconoPIM™ 3	托盘	在售	沟槽型场截止	三相反相器	600 V	100 A	335 W	1.9V @ 15V，100A	1 mA	6.2 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FS100R12KT4GBOSA1 IGBT MOD 1200V 100A 515W Infineon Technologies	40 现货	1 : ¥1,315.54000 托盘	EconoPACK™ 3	托盘	不适用于新设计	沟槽型场截止	三相反相器	1200 V	100 A	515 W	2.2V @ 15V，100A	1 mA	6.3 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FF600R12KE4BOSA1 IGBT MODULE 1200V 600A Infineon Technologies	33 现货	1 : ¥1,469.31000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	1200 V	600 A	-	2.2V @ 15V，600A	5 mA	38 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FF400R12KE3HOSA1 IGBT MOD 1200V 580A 2000W Infineon Technologies	35 现货	1 : ¥1,595.08000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	1200 V	580 A	2000 W	2.15V @ 15V，400A	5 mA	28 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FS400R07A1E3S7BOMA1 IGBT MODULE Infineon Technologies	28 现货	1 : ¥2,904.71000 托盘	HybridPACK™	托盘	在售	沟槽型场截止	全桥反相器	705 V	500 A	1250 W	1.7V @ 15V，400A	100 µA	28 nF @ 25 V	三相桥式整流器	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	AG-HYBRID1-1
APTGT600U170D4G IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4 Microchip Technology	30 现货	1 : ¥3,457.15000 散装	-	散装	在售	沟槽型场截止	单路	1700 V	1100 A	2900 W	2.4V @ 15V，600A	1 mA	51 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	D4	D4
FF3MR20KM1HHPSA1 MEDIUM POWER 62MM Infineon Technologies	32 现货	1 : ¥6,246.35000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	2000 V	-	-	-	-	-	标准	无	-	底座安装	模块	AG-62MMHB
IM241L6S1BAUMA1 CIPOS MICRO Infineon Technologies	364 现货	1 : ¥82.75000 剪切带（CT） 500 : ¥53.89802 卷带（TR）	IM241, CIPOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	-	三相反相器	600 V	-	15 W	1.62V @ 15V，2A	-	-	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	23-PowerSMD 模块，鸥翼	23-SOP
IXGN320N60A3 IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B IXYS	1,838 现货	1 : ¥249.25000 管件	GenX3™	管件	在售	PT	单路	600 V	320 A	735 W	1.25V @ 15V，100A	150 µA	18 nF @ 25 V	标准	无	-55°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	SOT-227-4，miniBLOC	SOT-227B
APT60GA60JD60 IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP Microchip Technology	1,275 现货	1 : ¥268.13000 管件	POWER MOS 8™	管件	在售	PT	单路	600 V	112 A	356 W	2.5V @ 15V，62A	275 µA	8.01 nF @ 25 V	标准	无	-55°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	SOT-227-4，miniBLOC	ISOTOP®
APT75GN120JDQ3 IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP Microchip Technology	150 现货	1 : ¥296.37000 管件	-	管件	在售	沟槽型场截止	单路	1200 V	124 A	379 W	2.1V @ 15V，75A	200 µA	4.8 nF @ 25 V	标准	无	-55°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	ISOTOP	ISOTOP®
IXYN120N120C3 IGBT MOD 1200V 240A SOT227B IXYS	208 现货	1 : ¥330.20000 管件	XPT™, GenX3™	管件	在售	-	单路	1200 V	240 A	1200 W	3.2V @ 15V，120A	25 µA	-	标准	无	-55°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	SOT-227-4，miniBLOC	SOT-227B - miniBLOC

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绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥；升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

IGBT 模块

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