640mA（Tj） 单 FET，MOSFET

结果 : 4
包装
剪切带（CT）卷带（TR）袋
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
900 毫欧 @ 3.5A，10V1.2 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA3.5V @ 10mA
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
190 pF @ 20 V450 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
740mW（Tc）1W（Tc）
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN0300L-G
MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
Microchip Technology
1,714
现货
1 : ¥11.74000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
640mA（Tj）
5V，10V
1.2 欧姆 @ 1A，10V
2.5V @ 1mA
±30V
190 pF @ 20 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP2206N3-G
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Microchip Technology
1,822
现货
1 : ¥21.10000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
640mA（Tj）
5V，10V
900 毫欧 @ 3.5A，10V
3.5V @ 10mA
±20V
450 pF @ 25 V
-
740mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP2206N3-G-P003
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Microchip Technology
279
现货
1 : ¥21.92000
剪切带（CT）
2,000 : ¥16.66599
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
640mA（Tj）
5V，10V
900 毫欧 @ 3.5A，10V
3.5V @ 10mA
±20V
450 pF @ 25 V
-
740mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN0300L-G-P002
MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
Microchip Technology
2,000
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.44128
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
640mA（Tj）
5V，10V
1.2 欧姆 @ 1A，10V
2.5V @ 1mA
±30V
190 pF @ 20 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
显示
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640mA（Tj） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。