58A（Ta） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
NXP USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
TrenchMOS™U-MOSVIII-H
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.4 毫欧 @ 29A，10V13 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA4V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22.9 nC @ 10 V46 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1730 pF @ 25 V3400 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
96W（Ta）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
I2PAKTO-220
封装/外壳
TO-220-3TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
ISL9N302AS3
BUK7E13-60E,127
MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
NXP USA Inc.
1,470
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
58A（Ta）
-
13 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
22.9 nC @ 10 V
±20V
1730 pF @ 25 V
-
96W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
I2PAK
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
0
现货
查看交期
50 : ¥7.75140
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
58A（Ta）
10V
5.4 毫欧 @ 29A，10V
4V @ 500µA
46 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 30 V
-
110W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 2

58A（Ta） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。