500mA 单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
750 毫欧 @ 500mA，4.5V750毫欧 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V1.28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
29 pF @ 15 V54 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW830mW
供应商器件封装
SOT-23SOT-723
封装/外壳
SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 723
2SK3020-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Micro Commercial Co
13,237
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.24496
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA
4.5V，10V
750毫欧 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
1.28 nC @ 10 V
±20V
29 pF @ 15 V
-
200mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
SOT 23
SI0301-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Micro Commercial Co
581
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.44163
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA
2.5V，4.5V
750 毫欧 @ 500mA，4.5V
1V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±8V
54 pF @ 15 V
-
830mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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500mA 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。