45A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesTexas InstrumentsYAGEO XSEMI
系列
-HEXFET®NexFET™XP4NA1R5HC
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
25 V40 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.15 毫欧 @ 50A,10V1.5mOhm @ 40A, 10V9.5 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA2.35V @ 150µA3.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
24 nC @ 10 V110 nC @ 10 V140.8 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1880 pF @ 30 V7136 pF @ 30 V7174 pF @ 13 V
功率耗散(最大值)
3.6W(Ta),160W(Tc)5W(Ta),125W(Tc)107W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)SPPAK 5X6TO-220-3
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-100,SOT-669TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
CSD18534KCS
MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3
Texas Instruments
1,247
现货
1 : ¥10.84000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
45A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 40A,10V
2.3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
1880 pF @ 30 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
8PQFN
IRFH5250TRPBF
MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
Infineon Technologies
6,460
现货
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
4,000 : ¥5.95108
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
45A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.15 毫欧 @ 50A,10V
2.35V @ 150µA
110 nC @ 10 V
±20V
7174 pF @ 13 V
-
3.6W(Ta),160W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerVDFN
XP6NA8R0CST
XP4NA1R5HCST
MOSFET N CH 40V 45A SPPAK5X6
YAGEO XSEMI
0
现货
查看交期
3,000 : ¥4.54838
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
45A(Ta),100A(Tc)
10V
1.5mOhm @ 40A, 10V
3.6V @ 250µA
140.8 nC @ 10 V
±20V
7136 pF @ 30 V
-
5W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SPPAK 5X6
SC-100,SOT-669
8PQFN
IRFH5250TR2PBF
MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥14.53000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
45A(Ta),100A(Tc)
-
1.15 毫欧 @ 50A,10V
2.35V @ 150µA
110 nC @ 10 V
-
7174 pF @ 13 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerVDFN
显示
/ 4

45A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。