4-UFBGA，WLCSP 单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.1A（Ta）3.4A（Ta）3.6A（Ta）5.9A（Ta）6.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，4.5V3.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 2A，4.5V23 毫欧 @ 2A，4.5V43 毫欧 @ 2A，4.5V45 毫欧 @ 1A，4.5V462 毫欧 @ 300mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA800mV @ 250µA900mV @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 4.5 V13 nC @ 4.5 V20 nC @ 4.5 V40 nC @ 4.5 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±5V+5.5V，-0.3V±10V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
85 pF @ 15 V710 pF @ 4 V1630 pF @ 15 V2340 pF @ 4 V2800 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
780mW（Ta），1.8W（Tc）800mW（Ta）1W（Ta）1.1W（Ta），2.7W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 125°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
4-Microfoot4-WLCSP（0.96x0.96）4-WLCSP（1.6x1.6）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4-xFBGA
SI8466EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
3,635
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34537
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
3.6A（Ta）
1.2V，4.5V
43 毫欧 @ 2A，4.5V
700mV @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±5V
710 pF @ 4 V
-
780mW（Ta），1.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
4-Microfoot
4-UFBGA，WLCSP
4-xFBGA
SI8425DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Vishay Siliconix
3,102
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.9A（Ta）
1.8V，4.5V
23 毫欧 @ 2A，4.5V
900mV @ 250µA
110 nC @ 10 V
±10V
2800 pF @ 10 V
-
1.1W（Ta），2.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
4-WLCSP（1.6x1.6）
4-UFBGA，WLCSP
4-xFBGA
SI8424CDB-T1-E1
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
1,980
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.65113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
6.3A（Ta）
1.2V，4.5V
20 毫欧 @ 2A，4.5V
800mV @ 250µA
40 nC @ 4.5 V
±5V
2340 pF @ 4 V
-
1.1W（Ta），2.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
4-Microfoot
4-UFBGA，WLCSP
4-XFBGA
FDZ3N513ZT
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
onsemi
0
现货
停产
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.1A（Ta）
3.2V，4.5V
462 毫欧 @ 300mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1 nC @ 4.5 V
+5.5V，-0.3V
85 pF @ 15 V
肖特基二极管（体）
1W（Ta）
-55°C ~ 125°C（TJ）
-
-
表面贴装型
4-WLCSP（0.96x0.96）
4-UFBGA，WLCSP
4-WLCSP
AOC2411
MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.4A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 1A，4.5V
1.4V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±12V
1630 pF @ 15 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
4-WLCSP（1.6x1.6）
4-UFBGA，WLCSP
显示
/ 5

4-UFBGA，WLCSP 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。