340A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon TechnologiesInternational RectifierIXYSLittelfuse Inc.
系列
HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, TrenchT2™Trench
包装
卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
漏源电压(Vdss)
24 V40 V60 V70 V75 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.65 毫欧 @ 195A,10V1.7 毫欧 @ 100A,10V1.9 毫欧 @ 100A,10V3 毫欧 @ 100A,10V3.2 毫欧 @ 100A,10V4 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA4V @ 3mA4V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
240 nC @ 10 V256 nC @ 10 V300 nC @ 10 V490 nC @ 10 V600 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7590 pF @ 24 V12200 pF @ 25 V13000 pF @ 25 V16800 pF @ 25 V19000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
300W(Tc)480W(Tc)700W(Tc)935W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO263-3SOT-227BTO-220-3TO-247(IXTH)TO-247AD(IXFH)TO-263-7(IXTA)TO-263AATO-268AA
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-247-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-268
IXFT340N075T2
MOSFET N-CH 75V 340A TO268
Littelfuse Inc.
511
现货
480
工厂
1 : ¥99.34000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
340A(Tc)
10V
3.2 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 3mA
300 nC @ 10 V
±20V
19000 pF @ 25 V
-
935W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-220-3
IXTP340N04T4
MOSFET N-CH 40V 340A TO220AB
IXYS
296
现货
1 : ¥45.15000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
340A(Tc)
10V
1.9 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 250µA
256 nC @ 10 V
±15V
13000 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263AA
IXTA340N04T4
MOSFET N-CH 40V 340A TO263AA
IXYS
188
现货
1 : ¥47.12000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
340A(Tc)
10V
1.7 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 250µA
256 nC @ 10 V
±15V
13000 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TEXTISLM3671TLX-1.2/NOPB
AUIRF1324STRL7P
MOSFET N-CH 24V 340A D2PAK
International Rectifier
401
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
24 V
340A(Tc)
10V
1.65 毫欧 @ 195A,10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
7590 pF @ 24 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247_IXFH
IXFH340N075T2
MOSFET N-CH 75V 340A TO247AD
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥87.60000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
340A(Tc)
10V
3.2 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 3mA
300 nC @ 10 V
±20V
19000 pF @ 25 V
-
935W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD(IXFH)
TO-247-3
TO-263-7
IXTA340N04T4-7
MOSFET N-CH 40V 340A TO263-7
IXYS
0
现货
50 : ¥37.33500
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
340A(Tc)
10V
1.7 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 250µA
256 nC @ 10 V
±15V
13000 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7(IXTA)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH340N04T4
MOSFET N-CH 40V 340A TO247
IXYS
0
现货
30 : ¥41.75500
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
340A(Tc)
10V
1.9 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 250µA
256 nC @ 10 V
±15V
13000 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
IXYK1x0xNxxxx
IXFN340N07
MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
Littelfuse Inc.
0
现货
10 : ¥269.79900
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
70 V
340A(Tc)
10V
4 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 8mA
490 nC @ 10 V
±20V
12200 pF @ 25 V
-
700W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXFN340N06
MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
IXYS
0
现货
10 : ¥276.58800
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
340A(Tc)
10V
3 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 8mA
600 nC @ 10 V
±20V
16800 pF @ 25 V
-
700W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
AUIRF1324STRL7P
MOSFET N-CH 24V 340A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
24 V
340A(Tc)
10V
1.65 毫欧 @ 195A,10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
7590 pF @ 24 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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/ 10

340A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。