33A（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

TPH2900ENH,L1Q MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	16,647 现货	1 : ¥26.44000 剪切带（CT） 5,000 : ¥8.55872 卷带（TR）	U-MOSVIII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	33A（Ta）	10V	29 毫欧 @ 16.5A，10V	4V @ 1mA	22 nC @ 10 V	±20V	2200 pF @ 100 V	-	78W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOP Advance（5x5）	8-PowerVDFN
TK33S10N1Z,LQ MOSFET N-CH 100V 33A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	5,597 现货	1 : ¥18.23000 剪切带（CT） 2,000 : ¥5.39930 卷带（TR）	U-MOSVIII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	33A（Ta）	10V	9.7 毫欧 @ 16.5A，10V	4V @ 500µA	28 nC @ 10 V	±20V	2050 pF @ 10 V	-	125W（Tc）	175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK+	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TK33S10N1L,LXHQ MOSFET N-CH 100V 33A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	3,829 现货	1 : ¥14.94000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.26500 卷带（TR）	U-MOSVIII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	33A（Ta）	4.5V，10V	9.7 毫欧 @ 16.5A，10V	2.5V @ 500µA	33 nC @ 10 V	±20V	2250 pF @ 10 V	-	125W（Tc）	175°C	-	-	表面贴装型	DPAK+	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TK33S10N1Z,LXHQ MOSFET N-CH 100V 33A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	3,974 现货	1 : ¥15.76000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.54967 卷带（TR）	U-MOSVIII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	33A（Ta）	10V	9.7 毫欧 @ 16.5A，10V	4V @ 500µA	28 nC @ 10 V	±20V	2050 pF @ 10 V	-	125W（Tc）	175°C	-	-	表面贴装型	DPAK+	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TK33S10N1L,LQ MOSFET N-CH 100V 33A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	747 现货	1 : ¥21.10000 剪切带（CT） 2,000 : ¥6.41285 卷带（TR）	U-MOSVIII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	33A（Ta）	4.5V，10V	9.7 毫欧 @ 16.5A，10V	2.5V @ 500µA	33 nC @ 10 V	±20V	2250 pF @ 10 V	-	125W（Tc）	175°C	-	-	表面贴装型	DPAK+	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
UPA2723UT1A-E1-AY MOSFET N-CH 30V 33A 8DFN Renesas Electronics Corporation	3,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	33A（Ta）	-	2.5 毫欧 @ 17A，10V	2.5V @ 1mA	64 nC @ 5 V	-	8100 pF @ 10 V	-	-	-	-	-	表面贴装型	8-DFN3333（3.3x3.3）	8-VDFN 裸露焊盘
EPC2015 GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE EPC	0 现货	Digi-Key 停止提供	eGaN®	卷带（TR）	Digi-Key 停止提供	N 通道	GaNFET（氮化镓）	40 V	33A（Ta）	5V	4 毫欧 @ 33A，5V	2.5V @ 9mA	11.6 nC @ 5 V	+6V，-5V	1200 pF @ 20 V	-	-	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	模具	模具
NVATS5A106PLZT4G MOSFET P-CHANNEL 40V 33A ATPAK onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）剪切带（CT）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	33A（Ta）	4.5V，10V	25 毫欧 @ 15A，10V	2.6V @ 1mA	29 nC @ 10 V	±20V	1380 pF @ 20 V	-	48W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	DPAK/ATPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63