29A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 9
制造商
Infineon TechnologiesTexas Instruments
系列
-HEXFET®NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3V,8V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.8 毫欧 @ 30A,10V1.9 毫欧 @ 30A,10V2.4 毫欧 @ 25A,8V2.4 毫欧 @ 50A,10V2.5 毫欧 @ 50A,10V3.4 毫欧 @ 30A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 250µA2.35V @ 100µA2.5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18.3 nC @ 4.5 V19 nC @ 4.5 V33 nC @ 10 V36 nC @ 10 V39 nC @ 10 V55 nC @ 10 V82 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+10V,-8V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2200 pF @ 15 V2500 pF @ 12 V2600 pF @ 15 V2800 pF @ 12 V3100 pF @ 12.5 V3635 pF @ 25 V4730 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),50W(Tc)2.5W(Ta),69W(Tc)3.1W(Ta)3.1W(Ta),113W(Tc)3.6W(Ta),104W(Tc)3.6W(Ta),156W(Tc)
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)8-VSON-CLIP(5x6)8-VSONP(5x6)PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-6PQFN(5x6)单芯片焊盘
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC0501NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Infineon Technologies
11,778
现货
1 : ¥8.95000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.75348
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
29A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.9 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC018NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Infineon Technologies
9,347
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.75599
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
29A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.8 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 12 V
-
2.5W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC018NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Infineon Technologies
9,250
现货
1 : ¥11.99000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.48666
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
29A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.8 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 12 V
-
2.5W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD16321Q5T
25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Texas Instruments
530
现货
1 : ¥17.08000
剪切带(CT)
250 : ¥11.55876
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
29A(Ta),100A(Tc)
3V,8V
2.4 毫欧 @ 25A,8V
1.4V @ 250µA
19 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
3100 pF @ 12.5 V
-
3.1W(Ta),113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17305Q5A
MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON
Texas Instruments
0
现货
查看交期
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.08197
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
29A(Ta),100A(Tc)
3V,8V
3.4 毫欧 @ 30A,8V
1.6V @ 250µA
18.3 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
2600 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
8PQFN
IRLH5034TRPBF
MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
29A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.4 毫欧 @ 50A,10V
2.5V @ 150µA
82 nC @ 10 V
±16V
4730 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN
IRFH5302DTR2PBF
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
29A(Ta),100A(Tc)
-
2.5 毫欧 @ 50A,10V
2.35V @ 100µA
55 nC @ 10 V
-
3635 pF @ 25 V
-
-
-
表面贴装型
PQFN(5x6)单芯片焊盘
8-PowerVDFN
MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN
IRFH5302DTRPBF
MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
29A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 50A,10V
2.35V @ 100µA
55 nC @ 10 V
±20V
3635 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(5x6)单芯片焊盘
8-PowerVDFN
8PQFN
IRLH5034TR2PBF
MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥17.49000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
29A(Ta),100A(Tc)
-
2.4 毫欧 @ 50A,10V
2.5V @ 150µA
82 nC @ 10 V
-
4730 pF @ 25 V
-
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerVDFN
显示
/ 9

29A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。