27A（Ta），40A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

BSZ018N04LS6ATMA1 MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON Infineon Technologies	18,049 现货	1 : ¥17.49000 剪切带（CT） 5,000 : ¥7.31710 卷带（TR）	OptiMOS™ 6	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	27A（Ta），40A（Tc）	4.5V，10V	1.8 毫欧 @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	31 nC @ 10 V	±20V	2700 pF @ 20 V	-	2.5W（Ta），83W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	PG-TSDSON-8-FL	8-PowerTDFN
BSZ017NE2LS5IATMA1 MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON Infineon Technologies	9,200 现货	1 : ¥13.14000 剪切带（CT） 5,000 : ¥5.18815 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	27A（Ta），40A（Tc）	4.5V，10V	1.7 毫欧 @ 20A，10V	2V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±16V	2000 pF @ 12 V	-	2.1W（Ta），50W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PG-TSDSON-8-FL	8-PowerTDFN
FDMC7570S MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33 onsemi	623 现货	1 : ¥22.82000 剪切带（CT） 3,000 : ¥11.09875 卷带（TR）	PowerTrench®, SyncFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	27A（Ta），40A（Tc）	4.5V，10V	2 毫欧 @ 27A，10V	3V @ 1mA	68 nC @ 10 V	±20V	4410 pF @ 13 V	-	2.3W（Ta），59W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	Power33	8-PowerTDFN
FDMC7570S POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Fairchild Semiconductor	4,336 市场	不可用对您所选的货币不可用	PowerTrench®, SyncFET™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	27A（Ta），40A（Tc）	4.5V，10V	2 毫欧 @ 27A，10V	3V @ 1mA	68 nC @ 10 V	±20V	4410 pF @ 13 V	-	2.3W（Ta），59W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	Power33	8-PowerTDFN
FDMC7570S-PC01 MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33 onsemi	0 现货	停产	PowerTrench®, SyncFET™	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	27A（Ta），40A（Tc）	4.5V，10V	2 毫欧 @ 27A，10V	3V @ 1mA	68 nC @ 10 V	±20V	4410 pF @ 13 V	-	2.3W（Ta），59W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-PQFN（3.3x3.3）	8-PowerTDFN