26A(Ta),133A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
功率耗散(最大值)
3.9W(Ta),100W(Tc)4W(Ta),100W(Tc)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)LFPAK4(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线SOT-1023,4-LFPAK
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 1023
NTMYS3D3N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4
onsemi
2,015
现货
1 : ¥20.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥9.18838
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
26A(Ta),133A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
2880 pF @ 25 V
-
3.9W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK4(5x6)
SOT-1023,4-LFPAK
SOT 1023
NVMYS3D3N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
onsemi
5,950
现货
12,000
工厂
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.71683
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
26A(Ta),133A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
2880 pF @ 25 V
-
3.9W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK4(5x6)
SOT-1023,4-LFPAK
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C638NLT1G
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
onsemi
1,035
现货
1 : ¥19.05000
剪切带(CT)
1,500 : ¥9.02428
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
26A(Ta),133A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
2880 pF @ 25 V
-
4W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFS5C638NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
onsemi
1,322
现货
1 : ¥24.46000
剪切带(CT)
1,500 : ¥12.65223
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
26A(Ta),133A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
2880 pF @ 25 V
-
4W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
8-PowerTDFN,5 引线
显示
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26A(Ta),133A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。