25A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 56
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyEPCInfineon TechnologiesonsemiRenesas Electronics CorporationSanken Electric USA Inc.Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-DTMOSIVDTMOSIV-HeGaN®HEXFET®NexFET™PowerTrench®U-MOSIVU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25 V30 V50 V60 V80 V100 V150 V200 V250 V500 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4V,5V4.5V,10V5V6V,10V7V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.5 毫欧 @ 25A,10V2.7 毫欧 @ 25A,10V6.3 毫欧 @ 12.5A,10V6.8 毫欧 @ 12.5A,10V6.9 毫欧 @ 10A,10V6.9 毫欧 @ 12.5A,10V7 毫欧 @ 25A,5V9.7 毫欧 @ 8A,10V10 毫欧 @ 12.5A,10V11.1 毫欧 @ 12.5A,10V13 毫欧 @ 12.5A,10V14 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.9V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.3V @ 1mA2.35V @ 100µA2.5V @ 100µA2.5V @ 1A2.5V @ 5mA3V @ 250µA3.5V @ 1.2mA3.5V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 1.2mA4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.8 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 10 V10 nC @ 5 V10.4 nC @ 4.5 V10.7 nC @ 4.5 V15 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V15.1 nC @ 10 V16.2 nC @ 10 V18.5 nC @ 10 V19 nC @ 10 V19.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-5V±15V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
855 pF @ 10 V875 pF @ 10 V900 pF @ 10 V920 pF @ 15 V950 pF @ 50 V1010 pF @ 10 V1030 pF @ 15 V1200 pF @ 25 V1250 pF @ 25 V1260 pF @ 25 V1375 pF @ 10 V1408 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
700mW(Ta),30W(Tc)2.5W(Ta)2.5W(Ta),50W(Tc)3.1W(Ta),36W(Tc)3.1W(Ta),42W(Tc)15W(Tc)25W(Tc)30W(Tc)35W(Tc)40W(Tc)45W(Tc)50W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 125°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-DFN-EP(8x8)8-HWSON(3.3x3.3)8-PDFN(5x6)8-SO8-SOP Advance(5x5)8-TSON Advance(3.3x3.3)8-VSONP(5x6)8-WPAK8-WPAK(3)30-FLFBGA(3.55x4)ATPAKDPAK
封装/外壳
4-VSFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘8-WFDFN 裸露焊盘30-WFBGAATPAK(2 引线 + 凸片)SC-100,SOT-669TO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
56结果
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/ 56
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
DPAK_369C
NTD25P03LT4G
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
onsemi
1,555
现货
1 : ¥11.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.62698
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta)
4V,5V
80 毫欧 @ 25A,5V
2V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±15V
1260 pF @ 25 V
-
75W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
25,936
现货
1 : ¥14.53000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.55077
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Ta)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 12.5A,10V
-
15 nC @ 4.5 V
±20V
2030 pF @ 10 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100,SOT-669
8-Power TDFN
CSD17579Q5A
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Texas Instruments
4,860
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.39567
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta)
4.5V,10V
9.7 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 250µA
15.1 nC @ 10 V
±20V
1030 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17578Q5A
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Texas Instruments
1,773
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.54962
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta)
4.5V,10V
6.9 毫欧 @ 10A,10V
1.9V @ 250µA
22.3 nC @ 10 V
±20V
1510 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
2,008
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.95422
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Ta)
4.5V,10V
36.8 毫欧 @ 12.5A,4.5V
2.5V @ 100µA
15 nC @ 10 V
±20V
855 pF @ 10 V
-
57W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
5,000
现货
1 : ¥23.48000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.58710
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25A(Ta)
10V
14 毫欧 @ 12.5A,10V
-
41 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 10 V
-
65W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100,SOT-669
8-Power TDFN
CSD17579Q5AT
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Texas Instruments
2,314
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
250 : ¥4.84968
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta)
4.5V,10V
9.7 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 250µA
15.1 nC @ 10 V
±20V
1030 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
9,996
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.81593
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta)
4.5V,10V
6.3 毫欧 @ 12.5A,10V
-
10.4 nC @ 4.5 V
±20V
1890 pF @ 10 V
-
15W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HWSON(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
4,969
现货
1 : ¥21.35000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.61660
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
25A(Ta)
10V
13 毫欧 @ 12.5A,10V
-
27 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 10 V
-
55W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100,SOT-669
2,500
现货
1 : ¥22.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.91050
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25A(Ta)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 12.5A,10V
-
43 nC @ 4.5 V
±20V
6160 pF @ 10 V
-
65W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100,SOT-669
6,000
现货
3,000 : ¥7.63512
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Ta)
10V
11.1 毫欧 @ 12.5A,10V
-
19.4 nC @ 10 V
±20V
1580 pF @ 10 V
-
50W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
6,000
现货
3,000 : ¥12.49943
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
25A(Ta)
10V
48 毫欧 @ 12.5A,10V
-
37 nC @ 10 V
±30V
2200 pF @ 25 V
-
65W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
WPAK(3F)(5x6)
8-PowerVDFN
6,000
现货
3,000 : ¥12.49943
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
25A(Ta)
10V
58 毫欧 @ 12.5A,10V
-
19 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 25 V
-
65W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
WPAK(3F)(5x6)
8-PowerVDFN
5,378
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.25076
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Ta)
4.5V,10V
18.5 毫欧 @ 12.5A,10V
2.5V @ 100µA
15 nC @ 10 V
±20V
855 pF @ 10 V
-
57W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
TK25V60X5,LQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Toshiba Semiconductor and Storage
2,488
现货
1 : ¥38.50000
剪切带(CT)
2,500 : ¥18.74417
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
25A(Ta)
10V
150 毫欧 @ 7.5A,10V
4.5V @ 1.2mA
60 nC @ 10 V
±30V
2400 pF @ 300 V
-
180W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
4-DFN-EP(8x8)
4-VSFN 裸露焊盘
242,716
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.58998
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta)
4.5V,10V
34 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
16.2 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
19,800
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta)
-
11.1 毫欧 @ 12.5A,10V
-
6.8 nC @ 10 V
-
1010 pF @ 10 V
-
30W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-WPAK(3)
8-PowerWDFN
5,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta)
-
10 毫欧 @ 12.5A,10V
-
6.8 nC @ 4.5 V
-
1010 pF @ 10 V
-
30W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
ATPAK
ATP112-TL-H
MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Ta)
4V,10V
43 毫欧 @ 13A,10V
-
33.5 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 20 V
-
40W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
ATPAK
ATPAK(2 引线 + 凸片)
79,482
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta)
-
6.9 毫欧 @ 12.5A,10V
-
10.7 nC @ 4.5 V
-
2300 pF @ 10 V
-
15W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HWSON(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TO-252AA
FDD3680
MOSFET N-CH 100V 25A TO252
onsemi
0
现货
1 : ¥18.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.39580
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25A(Ta)
6V,10V
46 毫欧 @ 6.1A,10V
4V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
1735 pF @ 50 V
-
68W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-Power TDFN
CSD17578Q5AT
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Texas Instruments
1,438
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
250 : ¥5.04376
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta)
4.5V,10V
6.9 毫欧 @ 10A,10V
1.9V @ 250µA
22.3 nC @ 10 V
±20V
1510 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
91
现货
1 : ¥30.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
25A(Ta)
10V
125 毫欧 @ 7.5A,10V
3.5V @ 1.2mA
40 nC @ 10 V
±30V
2400 pF @ 300 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
30
现货
1 : ¥35.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
25A(Ta)
10V
125 毫欧 @ 7.5A,10V
3.5V @ 1.2mA
40 nC @ 10 V
±30V
2400 pF @ 300 V
-
180W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
100
现货
1 : ¥35.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
25A(Ta)
10V
140 毫欧 @ 7.5A,10V
4.5V @ 1.2mA
60 nC @ 10 V
±30V
2400 pF @ 300 V
-
180W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 56

25A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。