253A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
40 V80 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.43 毫欧 @ 50A,10V2.14 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA3.6V @ 330µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
83 nC @ 10 V87 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4665 pF @ 25 V5880 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
194W(Tc)255W(Tc)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8L_Top
SQJ140ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
11,920
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.51381
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
253A(Tc)
4.5V,10V
2.14 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
87 nC @ 10 V
±20V
4665 pF @ 25 V
-
255W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-PowerTDFN, 5 Leads
NTMFWS1D5N08XT1G
MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
onsemi
406
现货
1 : ¥23.07000
剪切带(CT)
1,500 : ¥11.93700
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
253A(Tc)
6V,10V
1.43 毫欧 @ 50A,10V
3.6V @ 330µA
83 nC @ 10 V
±20V
5880 pF @ 40 V
-
194W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
8-PowerTDFN,5 引线
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFWS1D5N08XT1G
T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥27.03000
剪切带(CT)
1,500 : ¥13.95696
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
253A(Tc)
10V
1.43 毫欧 @ 50A,10V
3.6V @ 330µA
83 nC @ 10 V
±20V
5880 pF @ 40 V
-
194W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
8-PowerTDFN,5 引线
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253A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。