250mA(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorIXYSonsemiSTMicroelectronics
系列
-SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
200 V450 V600 V800 V900 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
14 欧姆 @ 200mA,10V15 欧姆 @ 400mA,10V16 欧姆 @ 500mA,10V80 欧姆 @ 50mA,10V150 欧姆 @ 50mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 50µA5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.8 nC @ 10 V4.9 nC @ 10 V6.9 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V7.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
59.2 pF @ 25 V60 pF @ 25 V92 pF @ 25 V94 pF @ 25 V133 pF @ 25 V160 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
2W(Tc)2.5W(Tc)13.9W(Tc)40W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICSOT-223SOT-223-3SOT-223(TO-261)TO-220-3
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-220-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
DMP45H150DHE-13
MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
Diodes Incorporated
11,081
现货
107,500
工厂
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.31015
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
450 V
250mA(Tc)
10V
150 欧姆 @ 50mA,10V
4V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±30V
59.2 pF @ 25 V
-
13.9W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
STN1NK80Z
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STMicroelectronics
1,359
现货
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.10860
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
250mA(Tc)
10V
16 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 50µA
7.7 nC @ 10 V
±30V
160 pF @ 25 V
-
2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
8-SOIC
STS1NK60Z
MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
STMicroelectronics
2,007
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.47115
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
250mA(Tc)
10V
15 欧姆 @ 400mA,10V
4.5V @ 50µA
6.9 nC @ 10 V
±30V
94 pF @ 25 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
INFINFBCP5216H6327XTSA1
NDTL01N60ZT1G
MOSFET N-CH 600V 250MA SOT223
Fairchild Semiconductor
6,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
250mA(Tc)
-
15 欧姆 @ 400mA,10V
4.5V @ 50µA
4.9 nC @ 10 V
±30V
92 pF @ 25 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223 (TO-261)
MMFT107T1
MOSFET N-CH 200V 0.25A SOT223
onsemi
0
现货
停产
-
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
250mA(Tc)
-
14 欧姆 @ 200mA,10V
3V @ 1mA
-
-
60 pF @ 25 V
-
-
-
表面贴装型
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
TO-220-3
IXCP01N90E
MOSFET N-CH 900V 250MA TO220AB
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
250mA(Tc)
10V
80 欧姆 @ 50mA,10V
5V @ 25µA
7.5 nC @ 10 V
±20V
133 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
SOT-223 (TO-261)
NDTL01N60ZT3G
MOSFET N-CH 600V 250MA SOT223
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
250mA(Tc)
10V
15 欧姆 @ 400mA,10V
4.5V @ 50µA
4.9 nC @ 10 V
±30V
92 pF @ 25 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223 (TO-261)
NDTL01N60ZT1G
MOSFET N-CH 600V 250MA SOT223
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
250mA(Tc)
10V
15 欧姆 @ 400mA,10V
4.5V @ 50µA
4.9 nC @ 10 V
±30V
92 pF @ 25 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
显示
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250mA(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。