224mA（Ta） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
封装/外壳
3-XFDFN3-XFLGA
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3-XLLGA
NTNS3193NZT5G
MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
onsemi
30,700
现货
168,000
工厂
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
8,000 : ¥1.99254
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
224mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.4 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
15.8 pF @ 15 V
-
120mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-XLLGA（0.62x0.62）
3-XFLGA
3-XLLGA
NTNS3190NZT5G
MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
onsemi
3,224
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
224mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.4 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
15.8 pF @ 15 V
-
120mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-XLLGA（0.62x0.62）
3-XFDFN
显示
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224mA（Ta） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。