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200A 单 FET，MOSFET
结果 : 4
包装
漏源电压（Vdss）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率耗散（最大值）
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | Vgs（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | FET 功能 | 功率耗散（最大值） | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2,688 现货 | 1 : ¥15.11000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 60 V | 200A | 10V | 3.2 毫欧 @ 20A，10V | 4V @ 250µA | 65 nC @ 10 V | ±20V | 4165 pF @ 25 V | - | 260W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | TO-220AB（H） | TO-220-3 | |
 | 9,833 现货 | 1 : ¥13.55000 剪切带（CT） 5,000 : ¥5.69638 卷带（TR） | - | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 40 V | 200A | 4.5V，10V | 1.35 毫欧 @ 20A，10V | 2.5V @ 250µA | 132 nC @ 10 V | ±20V | 7100 pF @ 25 V | - | 120W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | DFN5060 | 8-PowerTDFN | |
 | 770 现货 | 1 : ¥15.93000 剪切带（CT） 800 : ¥6.68356 卷带（TR） | - | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 60 V | 200A | 6V，10V | 3.2 毫欧 @ 20A，10V | 3.8V @ 250µA | 65 nC @ 10 V | ±20V | 4165 pF @ 25 V | - | 260W（Tj） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | D2PAK | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | |
 | 0 现货 | 在售 | - | 卷带（TR） | 在售 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 100 V | 200A | 6V，10V | 2.1 毫欧 @ 20A，10V | 4V @ 250µA | 237 nC @ 10 V | ±20V | 13310 pF @ 50 V | - | 312W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 |
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