19.7A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SI4425DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO Vishay Siliconix	108,581 现货	1 : ¥7.14000 剪切带（CT） 2,500 : ¥2.71768 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	19.7A（Tc）	4.5V，10V	9.8 毫欧 @ 13A，10V	2.5V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±20V	2610 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta），5.7W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SI4090DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO Vishay Siliconix	0 现货查看交期	1 : ¥11.74000 剪切带（CT） 2,500 : ¥4.86694 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	19.7A（Tc）	6V，10V	10 毫欧 @ 15A，10V	3.3V @ 250µA	69 nC @ 10 V	±20V	2410 pF @ 50 V	-	3.5W（Ta），7.8W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
BUK7575-55,127 MOSFET N-CH 55V 19.7A TO220AB NXP USA Inc.	0 现货	停产	TrenchMOS™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	19.7A（Tc）	10V	75 毫欧 @ 10A，10V	4V @ 1mA	-	±16V	500 pF @ 25 V	-	61W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3