17A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 49
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifieronsemiRenesas Electronics CorporationSanken Electric USA Inc.Taiwan Semiconductor CorporationToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™DTMOSIVHEXFET®OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V16 V20 V30 V40 V60 V100 V200 V250 V400 V600 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V6V,20V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3 毫欧 @ 25A,10V3 毫欧 @ 25A,4.5V3.2 毫欧 @ 25A,10V3.25 毫欧 @ 25A,10V3.3 毫欧 @ 22A,10V3.3 毫欧 @ 25A,4.5V3.5 毫欧 @ 25A,4.5V3.5 毫欧 @ 51A,10V4 毫欧 @ 25A,10V4.4 毫欧 @ 8A,10V4.9 毫欧 @ 43A,10V5 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
400mV @ 250µA(最小)600mV @ 250µA(最小)1.6V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 250µA2V @ 53µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.6V @ 1mA2.6V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 10 V17 nC @ 5 V18.2 nC @ 10 V19 nC @ 10 V20 nC @ 10 V26 nC @ 10 V30 nC @ 10 V32 nC @ 10 V38 nC @ 10 V39 nC @ 10 V46 nC @ 10 V50 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
950 pF @ 15 V1030 pF @ 20 V1113 pF @ 15 V1200 pF @ 25 V1200 pF @ 30 V1250 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V1450 pF @ 25 V1480 pF @ 20 V1770 pF @ 15 V2050 pF @ 300 V2400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1W(Ta)1W(Ta),35W(Tc)1.56W(Ta)1.6W(Ta)1.7W(Ta)1.9W(Ta)2.1W(Ta)2.5W(Ta)2.5W(Ta),170W(Tc)2.5W(Ta),46W(Tc)3.1W(Ta)3.1W(Ta),31W(Tc)3.1W(Ta),77W(Tc)30W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-DFN(5x6)8-DFN3333(3.3x3.3)8-SOIC8-SOP8-WDFN(3.3x3.3)8-WPAK(3)DirectFET™ 等距 M2IPAK/TPLDPAKPG-DSO-8PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® SO-8TO-220
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘DirectFET™ 等距 M2PowerPAK® SO-8SC-83TO-220-3TO-220-3 整包TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
49结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 49
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMP3010LK3Q-13
MOSFET P-CH 30V 17A TO252
Diodes Incorporated
6,705
现货
137,500
工厂
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.99376
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 250µA
59.2 nC @ 4.5 V
±20V
6234 pF @ 15 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
45,943
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.01710
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
4V,10V
7 毫欧 @ 17A,10V
1.6V @ 250µA
105 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-252-2
DMP3010LK3-13
MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3
Diodes Incorporated
7,203
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.54524
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 250µA
59.2 nC @ 4.5 V
±20V
6234 pF @ 15 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C670NLAFT1G
MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN
onsemi
2,564
现货
1 : ¥13.79000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.55191
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
17A(Ta)
4.5V,10V
6.1 毫欧 @ 35A,10V
2V @ 53µA
20 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
61W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-SOIC
SI4838DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Vishay Siliconix
7,345
现货
1 : ¥24.63000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.98014
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
17A(Ta)
2.5V,4.5V
3 毫欧 @ 25A,4.5V
600mV @ 250µA(最小)
60 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TSDSON-8
BSZ0589NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Infineon Technologies
9,792
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.93093
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
4.5V,10V
4.4 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-SOIC
SI4368DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Vishay Siliconix
1,130
现货
1 : ¥20.11000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.08064
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 25A,10V
1.8V @ 250µA
80 nC @ 4.5 V
±12V
8340 pF @ 15 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-WDFN
NVTFS4C08NTWG
MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
onsemi
4,950
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.69852
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
4.5V,10V
5.9 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
18.2 nC @ 10 V
±20V
1113 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),31W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TP
SFT1445-H
MOSFET N-CH 100V 17A TP
onsemi
0
现货
16,400
市场
停产
-
散装
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Ta)
4V,10V
111 毫欧 @ 8.5A,10V
-
19 nC @ 10 V
±20V
1030 pF @ 20 V
-
1W(Ta),35W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK/TP
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
6,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
-
7.3 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 1mA
17 nC @ 5 V
-
1770 pF @ 15 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
8-DFN3333(3.3x3.3)
8-VDFN 裸露焊盘
TLC4502QDG4
FDS7766
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Fairchild Semiconductor
11,245
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 17A,10V
3V @ 250µA
69 nC @ 5 V
±16V
4973 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DPAK_369C
SFT1445-TL-H
MOSFET N-CH 100V 17A TP-FA
onsemi
170
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Ta)
4V,10V
111 毫欧 @ 8.5A,10V
2.6V @ 1mA
19 nC @ 10 V
±20V
1030 pF @ 20 V
-
1W(Ta),35W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TP-FA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
21,680
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.10801
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 22A,10V
2V @ 250µA
124 nC @ 10 V
±20V
9600 pF @ 15 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-DSO-8
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DS485TMX-NOPB
FDS7766S
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Fairchild Semiconductor
5,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
4.5V,10V
5.5 毫欧 @ 17A,10V
3V @ 1mA
58 nC @ 5 V
±16V
4785 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4864DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 17A 8SO
Vishay Siliconix
2,208
现货
1 : ¥33.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥16.25876
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
17A(Ta)
2.5V,4.5V
3.5 毫欧 @ 25A,4.5V
2V @ 250µA
70 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-3P-3,TO-247-3
2SK4125
MOSFET N-CH 600V 17A TO3PB
onsemi
0
现货
446
市场
停产
-
托盘
托盘
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
17A(Ta)
10V
610 毫欧 @ 7A,10V
-
46 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),170W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PB
TO-3P-3,SC-65-3
INFIRFAUIRF7647S2TR
AUIRF7734M2TR
MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2
International Rectifier
4,800
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
17A(Ta)
10V
4.9 毫欧 @ 43A,10V
4V @ 100µA
72 nC @ 10 V
±20V
2545 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DirectFET™ 等距 M2
DirectFET™ 等距 M2
94
现货
1 : ¥29.39000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
17A(Ta)
10V
290 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 850µA
32 nC @ 10 V
±20V
2050 pF @ 300 V
-
45W(Tc)
150°C
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
TO-220-3
TK17E80W,S1X
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Toshiba Semiconductor and Storage
44
现货
1 : ¥35.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
17A(Ta)
10V
290 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 850µA
32 nC @ 10 V
±20V
2050 pF @ 300 V
-
180W(Tc)
150°C
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
8-WDFN
NVTFS4C08NTAG
MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
onsemi
0
现货
在售
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
4.5V,10V
5.9 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
18.2 nC @ 10 V
±20V
1113 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),31W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
PowerPAK SO-8
SI7636DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥14.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.58385
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 25A,10V
3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
5600 pF @ 15 V
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.82504
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
17A(Ta)
4.5V,10V
6.6 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 20 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DirectFET™ Isometric M2
AUIRF7734M2TR
MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2
Infineon Technologies
0
现货
4,800 : ¥7.50703
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
17A(Ta)
10V
4.9 毫欧 @ 43A,10V
4V @ 100µA
72 nC @ 10 V
±20V
2545 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DirectFET™ 等距 M2
DirectFET™ 等距 M2
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
6V,20V
6.2 毫欧 @ 15A,20V
2.6V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±25V
3033 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
6V,20V
6.2 毫欧 @ 15A,20V
2.6V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±25V
3033 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
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表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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17A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。