170mA(Tj) 单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
Micro Commercial CoMicrochip Technologyonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
100 V400 V700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 欧姆 @ 100mA,10V6 欧姆 @ 250mA,10V25 欧姆 @ 120mA,0V42 欧姆 @ 100mA,0V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA2.6V @ 1mA-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20 pF @ 25 V60 pF @ 25 V300 pF @ 25 V540 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)350mW1.6W(Tc)2.5W(Ta)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-
供应商器件封装
-SOT-23SOT-23-3TO-243AA(SOT-89)TO-252(DPAK)
封装/外壳
-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C04-029 MB
DN2540N8-G
MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
Microchip Technology
22,030
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.56789
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
170mA(Tj)
0V
25 欧姆 @ 120mA,0V
-
-
±20V
300 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-243AA(SOT-89)
TO-243AA
SOT 23
BSS123K-TP
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Micro Commercial Co
15,748
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32984
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Tj)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 250mA,10V
2.5V @ 250µA
2 nC @ 10 V
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DN2470K4-G
MOSFET N-CH 700V 170MA TO252
Microchip Technology
70,890
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.56789
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
170mA(Tj)
0V
42 欧姆 @ 100mA,0V
-
-
±20V
540 pF @ 25 V
耗尽模式
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MOSFET N-CH 100V 15UA SOT23
BSS123LT7G
MOSFET N-CH 100V 15UA SOT23
onsemi
0
现货
10,500 : ¥0.27065
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Tj)
10V
6 欧姆 @ 100mA,10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
-
-
SOT-23-3
5X49_BG7002B
MOSFET N-CH 100V SOT23
onsemi
0
现货
9,000 : ¥0.31012
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Tj)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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170mA(Tj) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。