17.5A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
Fairchild SemiconductoronsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 毫欧 @ 17.5A,10V12 毫欧 @ 20A,10V105 毫欧 @ 8.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
24 nC @ 10 V42 nC @ 10 V53 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
950 pF @ 25 V1600 pF @ 25 V2271 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
3W(Ta)6.5W(Ta),46.8W(Tc)20W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-SO8-SO FLMPCPT3TO-252TO-252AA
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
RB098BM-40FNSTL
RD3P175SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
Rohm Semiconductor
3,137
现货
1 : ¥12.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.73448
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17.5A(Ta)
4V,10V
105 毫欧 @ 8.8A,10V
2.5V @ 1mA
24 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 25 V
-
20W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
RB098BM-40FNSTL
RD3P175SNTL1
MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
Rohm Semiconductor
13,641
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.02832
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17.5A(Ta)
4V,10V
105 毫欧 @ 8.8A,10V
2.5V @ 1mA
24 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 25 V
-
20W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
INFINFICE2QR4765XKLA1
FDS7082N3
MOSFET N-CH 30V 17.5A 8SO
Fairchild Semiconductor
13,304
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17.5A(Ta)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 17.5A,10V
3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
2271 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS7082N3
MOSFET N-CH 30V 17.5A 8SO
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17.5A(Ta)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 17.5A,10V
3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
2271 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO FLMP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
TO-252
SUD50N03-12P-E3
MOSFET N-CH 30V TO252
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17.5A(Ta)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
6.5W(Ta),46.8W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
RB098BM-40FNSTL
RSD175N10TL
MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
Rohm Semiconductor
0
现货
在售
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17.5A(Ta)
4V,10V
105 毫欧 @ 8.8A,10V
2.5V @ 1mA
24 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 25 V
-
20W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
CPT3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 6

17.5A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。