16A（Ta），50A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRF6810STRPBF PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM, International Rectifier	4,760 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	16A（Ta），50A（Tc）	4.5V，10V	5.2 毫欧 @ 16A，10V	2.1V @ 25µA	11 nC @ 4.5 V	±16V	1038 pF @ 13 V	-	2.1W（Ta），20W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DIRECTFET S1	DirectFET™ 等容 S1
FDD8444L MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA Fairchild Semiconductor	149,352 市场	不可用对您所选的货币不可用	PowerTrench®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	16A（Ta），50A（Tc）	4.5V，10V	5.2 毫欧 @ 50A，10V	3V @ 250µA	60 nC @ 5 V	±20V	5530 pF @ 25 V	-	153W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF6810STRPBF MOSFET N CH 25V 16A S1 Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	16A（Ta），50A（Tc）	4.5V，10V	5.2 毫欧 @ 16A，10V	2.1V @ 25µA	11 nC @ 4.5 V	±16V	1038 pF @ 13 V	-	2.1W（Ta），20W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DirectFET™ 等容 S1	DirectFET™ 等容 S1
FDD8444L MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA onsemi	0 现货	1 : ¥14.78000 剪切带（CT） 2,500 : ¥6.67208 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	16A（Ta），50A（Tc）	4.5V，10V	5.2 毫欧 @ 50A，10V	3V @ 250µA	60 nC @ 5 V	±20V	5530 pF @ 25 V	-	153W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FDD8444L-F085 MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA onsemi	0 现货	停产	PowerTrench®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	16A（Ta），50A（Tc）	4.5V，10V	5.2 毫欧 @ 50A，10V	3V @ 250µA	60 nC @ 5 V	±20V	5530 pF @ 25 V	-	153W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63