130A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 91
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronicsVishay SiliconixYAGEO XSEMI
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIIDirectFET®HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, TrenchHiPerFET™, TrenchT2™HiPerFET™, Ultra X3MDmesh™MDmesh™ VOptiMOS™POWER MOS V®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V65 V75 V80 V85 V90 V100 V150 V200 V300 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.75 毫欧 @ 20A,10V1.82 毫欧 @ 39A,4.5V2.9 毫欧 @ 80A,10V3.4 毫欧 @ 25A,10V3.5 毫欧 @ 13A,10V3.5 毫欧 @ 20A,10V3.6 毫欧 @ 13A,10V3.88 毫欧 @ 60A,10V3.9 毫欧 @ 25A,10V4.4 毫欧 @ 25A,10V4.6 毫欧 @ 15A,10V4.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2.1V @ 1mA2.5V @ 100µA2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA3.7V @ 150µA3.9V @ 250µA4V @ 150µA4V @ 1mA4V @ 250mA4V @ 250µA4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
21 nC @ 10 V36 nC @ 10 V42 nC @ 10 V56 nC @ 4.5 V62 nC @ 10 V66 nC @ 10 V68 nC @ 10 V69 nC @ 10 V79 nC @ 10 V80 nC @ 10 V87 nC @ 10 V93 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V+20V,-12V±20V20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1960 pF @ 25 V2596 pF @ 30 V2600 pF @ 25 V3810 pF @ 25 V4284 pF @ 40 V4450 pF @ 50 V4500 pF @ 50 V4600 pF @ 50 V4770 pF @ 25 V4800 pF @ 25 V5080 pF @ 25 V5150 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta),83W(Tc)2W(Ta),125W(Tc)3.8W(Ta),200W(Tc)3.8W(Ta),300W(Tc)4.8W(Ta),125W(Tc)4.8W(Ta),135W(Tc)96W(Tc)135W(Tc)140W(Tc)142W(Tc)148W(Tc)150W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HVSON(5x5.4)8-PPAK(5.1x5.71)D2PAKDFN5060DirectFET™ Isometric MEISOPLUS i4-PAC™ISOPLUS220™ISOTOPISOTOP®MAX247™PG-TO251-3PG-TO263-7
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNDirectFET™ Isometric MEi4-Pac™-5ISOPLUS220™ISOTOPPowerPAK® SO-8SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
91结果
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/ 91
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFB4310PBF
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Infineon Technologies
6,441
现货
1 : ¥22.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
130A(Tc)
10V
7 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
250 nC @ 10 V
±20V
7670 pF @ 50 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PowerFlat™
STL130N8F7
MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
STMicroelectronics
7,953
现货
1 : ¥23.73000
剪切带(CT)
3,000 : ¥11.54159
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
130A(Tc)
10V
3.6 毫欧 @ 13A,10V
4.5V @ 250µA
96 nC @ 10 V
±20V
6340 pF @ 40 V
-
135W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4310TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Infineon Technologies
3,349
现货
1 : ¥29.06000
剪切带(CT)
800 : ¥17.52444
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
130A(Tc)
10V
7 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
250 nC @ 10 V
±20V
7670 pF @ 50 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
FDB075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
onsemi
6,774
现货
1 : ¥43.92000
剪切带(CT)
800 : ¥26.49560
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
130A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
7350 pF @ 75 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IRFP4668PBF
MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Infineon Technologies
11,621
现货
1 : ¥54.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
130A(Tc)
10V
9.7 毫欧 @ 81A,10V
5V @ 250µA
241 nC @ 10 V
±30V
10720 pF @ 50 V
-
520W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 Max EP
STY139N65M5
MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
STMicroelectronics
371
现货
1 : ¥275.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
130A(Tc)
10V
17 毫欧 @ 65A,10V
5V @ 250µA
363 nC @ 10 V
±25V
15600 pF @ 100 V
-
625W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
MAX247™
TO-247-3
TO-220-3
DMNH6008SCTQ
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Diodes Incorporated
135
现货
1 : ¥14.94000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
130A(Tc)
10V
8 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
21 nC @ 10 V
20V
2596 pF @ 30 V
-
210W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-220-3
TO-220-3
PowerFlat™
STL130N6F7
MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
STMicroelectronics
11,383
现货
1 : ¥16.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.97043
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
130A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
4.8W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TO-220AB PKG
IRFB3307PBF
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Infineon Technologies
350
现货
1 : ¥20.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
130A(Tc)
10V
6.3 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
180 nC @ 10 V
±20V
5150 pF @ 50 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF1407PBF
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Infineon Technologies
11,826
现货
1 : ¥21.59000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
130A(Tc)
10V
7.8 毫欧 @ 78A,10V
4V @ 250µA
250 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 25 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PowerFlat WF
STL135N8F7AG
MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
STMicroelectronics
8,786
现货
1 : ¥22.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.31250
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
130A(Tc)
10V
3.6 毫欧 @ 13A,10V
4.5V @ 250µA
103 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 40 V
-
4.8W(Ta),135W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TO-220AB PKG
IRL1004PBF
MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Infineon Technologies
1,167
现货
1 : ¥25.20000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
130A(Tc)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 78A,10V
1V @ 250µA
100 nC @ 4.5 V
±16V
5330 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
FDP075N15A-F102
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
onsemi
620
现货
1 : ¥35.96000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
130A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
7350 pF @ 75 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263-7, D2Pak
IPB065N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Infineon Technologies
3,627
现货
1 : ¥51.72000
剪切带(CT)
1,000 : ¥26.74689
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
130A(Tc)
8V,10V
6.5 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 270µA
93 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 75 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8
SQJ144EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,239
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.16012
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
130A(Tc)
10V
4.6 毫欧 @ 15A,10V
3.5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
148W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
D2PAK
MCB130N10YA-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Micro Commercial Co
7,246
现货
1 : ¥15.43000
剪切带(CT)
800 : ¥6.46523
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
130A(Tc)
10V
4.6 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
66 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
260W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK
MCB130N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Micro Commercial Co
33,124
现货
1 : ¥17.98000
剪切带(CT)
800 : ¥10.03823
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
130A(Tc)
10V
4.6 毫欧 @ 60A,10V
4V @ 250µA
101.6 nC @ 10 V
±20V
6124.6 pF @ 50 V
-
192W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
IXTP130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Littelfuse Inc.
204
现货
1 : ¥30.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
130A(Tc)
10V
9.1 毫欧 @ 25A,10V
4.5V @ 250µA
104 nC @ 10 V
±30V
5080 pF @ 25 V
-
360W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263AB
IXTA130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Littelfuse Inc.
700
现货
650
工厂
1 : ¥37.60000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
130A(Tc)
10V
9.1 毫欧 @ 25A,10V
4.5V @ 250µA
104 nC @ 10 V
±30V
5080 pF @ 25 V
-
360W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXFA130N10T2
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Littelfuse Inc.
415
现货
1 : ¥44.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
130A(Tc)
10V
9.1 毫欧 @ 65A,10V
4.5V @ 1mA
130 nC @ 10 V
±20V
6600 pF @ 25 V
-
360W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA(IXFA)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IXYK1x0xNxxxx
IXFN160N30T
MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
Littelfuse Inc.
600
现货
1 : ¥259.27000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
130A(Tc)
10V
19 毫欧 @ 60A,10V
5V @ 8mA
335 nC @ 10 V
±20V
28000 pF @ 25 V
-
900W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
TO-3P
IXTQ130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO3P
Littelfuse Inc.
300
现货
30 : ¥35.00100
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
130A(Tc)
10V
9.1 毫欧 @ 25A,10V
4.5V @ 250µA
104 nC @ 10 V
±20V
5080 pF @ 25 V
-
360W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-263AB
IXFA130N15X3
MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Littelfuse Inc.
103
现货
1 : ¥51.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
130A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 65A,10V
4.5V @ 1.5mA
80 nC @ 10 V
±20V
5230 pF @ 25 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA(IXFA)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
FDB0630N1507L
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
onsemi
1,658
现货
78,400
工厂
1 : ¥53.45000
剪切带(CT)
800 : ¥33.70659
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
130A(Tc)
10V
6.4 毫欧 @ 18A,10V
4V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
9895 pF @ 75 V
-
3.8W(Ta),300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-247
IXFH130N15X3
MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Littelfuse Inc.
341
现货
990
工厂
1 : ¥66.09000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
130A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 65A,10V
4.5V @ 1.5mA
80 nC @ 10 V
±20V
5230 pF @ 25 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
显示
/ 91

130A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。