13.5A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 27
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedFairchild SemiconductoronsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™PowerTrench®PowerTrench®, SyncFET™TrenchFET®TrenchFET® Gen II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V60 V100 V120 V150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V6V,10V8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.2 毫欧 @ 21A,10V2.75mOhm @ 6A,4.5V5.3 毫欧 @ 21.1A,10V5.6 毫欧 @ 13.5A,10V6 毫欧 @ 20A,10V7 毫欧 @ 13.5A,10V7 毫欧 @ 14.5A,10V7.2 毫欧 @ 13.5A,10V7.5 毫欧 @ 13.5A,10V7.9 毫欧 @ 54A,10V8.3 毫欧 @ 13.5A,10V8.5 毫欧 @ 13.5A,10V8.5 毫欧 @ 13.5A,4.5V9 毫欧 @ 13.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 1.11mA1.5V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 295µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13 nC @ 4.5 V21 nC @ 4.5 V25 nC @ 4 V34 nC @ 5 V35 nC @ 5 V38 nC @ 10 V42 nC @ 10 V43 nC @ 4.5 V46 nC @ 10 V47.1 nC @ 10 V50 nC @ 10 V51 nC @ 10 V54 nC @ 4.5 V60 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1100 pF @ 30 V1540 pF @ 15 V1960 pF @ 15 V2072 pF @ 20 V2500 pF @ 50 V2674 pF @ 15 V2800 pF @ 15 V2840 pF @ 15 V2962 pF @ 30 V3130 pF @ 50 V3835 pF @ 75 V3843 pF @ 15 V4250 pF @ 60 V6000 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
800mW(Ta)1W(Ta)1.1W(Ta),96.2W(Tc)1.2W(Ta)1.3W(Ta)1.5W(Ta)2.19W(Ta)2.2W(Ta)2.5W(Ta)2.7W(Ta),156W(Tc)3.1W(Ta)3.3W(Ta)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PQFN(5x6)8-SO8-SOIC8-WDFN(3.3x3.3)30-BGA(3.5x4)30-BGA(4x3.5)PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SHTCSPAC-153001TO-252-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)10-SMD,无引线30-WFBGAPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SHTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
27结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 27
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
AOSP66920
MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
37,634
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.26705
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 13.5A,10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS4465
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
onsemi
11,915
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.59019
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
13.5A(Ta)
1.8V,4.5V
8.5 毫欧 @ 13.5A,4.5V
1.5V @ 250µA
120 nC @ 4.5 V
±8V
8237 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMT6005LSS-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
Diodes Incorporated
7,239
现货
2,500
工厂
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.18912
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
47.1 nC @ 10 V
±20V
2962 pF @ 30 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK 1212-8
SI7110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
5,300
现货
1 : ¥17.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.71976
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
5.3 毫欧 @ 21.1A,10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 4.5 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7110DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
2,900
现货
1 : ¥21.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.21299
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
5.3 毫欧 @ 21.1A,10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 4.5 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-PQFN
FDMS86202
MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
onsemi
2,858
现货
12,000
工厂
1 : ¥33.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥16.42883
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
13.5A(Ta)
6V,10V
7.2 毫欧 @ 13.5A,10V
4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
4250 pF @ 60 V
-
2.7W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
SSM10N954L,EFF
SSM10N954L,EFF
COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13
Toshiba Semiconductor and Storage
9,985
现货
1 : ¥11.17000
剪切带(CT)
10,000 : ¥4.10490
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
13.5A(Ta)
2.5V,4.5V
2.75mOhm @ 6A,4.5V
1.4V @ 1.11mA
25 nC @ 4 V
±8V
-
-
800mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
TCSPAC-153001
10-SMD,无引线
8-WDFN
NTTFSC4821NTAG
MOSFET 30V 57A 8WDFN
onsemi
0
现货
10,874
市场
停产
-
卷带(TR)
散装
停产
-
-
-
13.5A(Ta)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8 SOIC
FDS4465-G
MOSFET P-CH 20V 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
13.5A(Ta)
1.8V,4.5V
8.5 毫欧 @ 13.5A,4.5V
1.5V @ 250µA
120 nC @ 4.5 V
±8V
8237 pF @ 10 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4108NT1G
MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
onsemi
0
现货
15,066
市场
停产
-
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 21A,10V
2.5V @ 250µA
54 nC @ 4.5 V
±20V
6000 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta),96.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4108NT3G
MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
onsemi
0
现货
14,636
市场
停产
-
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 21A,10V
2.5V @ 250µA
54 nC @ 4.5 V
±20V
6000 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta),96.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
TEXTISTAS2553YFFR
FDZ7064AS
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
Fairchild Semiconductor
34,720
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
5.6 毫欧 @ 13.5A,10V
3V @ 1mA
51 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 15 V
-
2.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
30-BGA(4x3.5)
30-WFBGA
8-SOIC
FDS6670AS
MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 13.5A,10V
3V @ 1mA
38 nC @ 10 V
±20V
1540 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
EL5102ISZ
FDS6670S
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Fairchild Semiconductor
28,785
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 13.5A,10V
3V @ 1mA
34 nC @ 5 V
±20V
2674 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
EL5102ISZ
SI4467DY
P-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
1,009
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
13.5A(Ta)
1.8V,4.5V
8.5 毫欧 @ 13.5A,4.5V
1.5V @ 250µA
120 nC @ 4.5 V
±8V
8237 pF @ 10 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TEXTISTAS2553YFFR
FDZ7064N
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
Fairchild Semiconductor
6,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 14.5A,10V
2V @ 250µA
43 nC @ 4.5 V
±12V
3843 pF @ 15 V
-
2.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
30-BGA(4x3.5)
30-WFBGA
TEXTISTAS2553YFFR
FDZ7064S
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
27,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 13.5A,10V
3V @ 1mA
35 nC @ 5 V
±16V
2840 pF @ 15 V
-
2.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
30-BGA(3.5x4)
30-WFBGA
8-SOIC
FDS7764S
MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
Fairchild Semiconductor
116,328
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 13.5A,10V
2V @ 1mA
35 nC @ 5 V
±16V
2800 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-PowerTDFN, Power56
NTMFS7D5N15MC
PTNG 150V 7.4MOHM, POWERCLIP56
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥34.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥16.84173
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
13.5A(Ta)
8V,10V
7.9 毫欧 @ 54A,10V
4.5V @ 295µA
46 nC @ 10 V
±20V
3835 pF @ 75 V
-
3.3W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
8-SOIC
AO4264E
MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
3,000 : ¥2.48136
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
9.8 毫欧 @ 13.5A,10V
2.4V @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1100 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
AO4296
MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
3,000 : ¥4.90090
卷带(TR)
卷带(TR)
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
8.3 毫欧 @ 13.5A,10V
2.3V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 50 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK 1212-8SH
SISH110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
6,000 : ¥4.85076
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
5.3 毫欧 @ 21.1A,10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 4.5 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
8-SOIC
FDS7764S
MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 13.5A,10V
2V @ 1mA
35 nC @ 5 V
±16V
2800 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
FDZ7064N
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 14.5A,10V
2V @ 250µA
43 nC @ 4.5 V
±12V
3843 pF @ 15 V
-
2.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
30-BGA(4x3.5)
30-WFBGA
TO-252-2
DMN4015LK3-13
MOSFET N-CH 40V 13.5A TO252-3
Diodes Incorporated
0
现货
Digi-Key 停止提供
-
卷带(TR)
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
13.5A(Ta)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 14A,10V
3V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
2072 pF @ 20 V
-
2.19W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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13.5A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。