10.2A(Ta),70A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
漏源电压(Vdss)
30 V60 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 毫欧 @ 30A,10V12 毫欧 @ 13.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
31 nC @ 10 V33.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1925 pF @ 30 V2516 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
920mW(Ta),43W(Tc)2.3W(Ta),113W(Tc)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)PowerDI5060-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4937NT1G
MOSFET N-CH 30V 10.2A/70A 5DFN
onsemi
0
现货
14,118
市场
停产
-
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.2A(Ta),70A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
2516 pF @ 15 V
-
920mW(Ta),43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4937NT3G
MOSFET N-CH 30V 10.2A/70A 5DFN
onsemi
0
现货
5,000 : ¥2.28359
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.2A(Ta),70A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
2516 pF @ 15 V
-
920mW(Ta),43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
DMPH4015SPSQ-13
DMT69M8LPS-13
MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
10.2A(Ta),70A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 13.5A,10V
2V @ 250µA
33.5 nC @ 10 V
±16V
1925 pF @ 30 V
-
2.3W(Ta),113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
显示
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10.2A(Ta),70A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。