1.25A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 7
制造商
Diotec SemiconductoronsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
170 毫欧 @ 1.25A,10V340 毫欧 @ 1.25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA(最小)3V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13.8 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
361 pF @ 30 V430 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
460mW(Ta)500mW(Ta)1.25W(Ta)
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SuperSOT™-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN5618P
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
onsemi
25,667
现货
45,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.14967
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.25A(Ta)
4.5V,10V
170 毫欧 @ 1.25A,10V
3V @ 250µA
13.8 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BAS20-AQ
MMFTP5618
MOSFET, SOT-23, -60V, -1.25A, 0,
Diotec Semiconductor
2,565
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84739
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.25A(Ta)
4.5V,10V
170 毫欧 @ 1.25A,10V
3V @ 1mA
7 nC @ 10 V
±20V
361 pF @ 30 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.99328
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.25A(Ta)
4.5V,10V
170 毫欧 @ 1.25A,10V
3V @ 1mA
7 nC @ 10 V
±20V
361 pF @ 30 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
FDN5618P-B8
FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
onsemi
0
现货
3,000 : ¥1.60953
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.25A(Ta)
4.5V,10V
170 毫欧 @ 1.25A,10V
3V @ 250µA
13.8 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
460mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2309DS-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
Vishay Siliconix
0
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.45543
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.25A(Ta)
4.5V,10V
340 毫欧 @ 1.25A,10V
1V @ 250µA(最小)
12 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN5618P_G
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
onsemi
0
现货
停产
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.25A(Ta)
4.5V,10V
170 毫欧 @ 1.25A,10V
3V @ 250µA
13.8 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BAS70-04-Q
MMFTP5618-Q
MOSFET, SOT-23, P, -60V, -1.25A
Diotec Semiconductor
0
现货
在售
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.25A(Ta)
4.5V,10V
170 毫欧 @ 1.25A,10V
3V @ 1mA
7 nC @ 10 V
±20V
361 pF @ 30 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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1.25A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。