onsemi 单 FET,MOSFET

结果 : 133
系列
FRFET®, SuperFET® IIISuperFET® III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
漏源电压(Vdss)
600 V650 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A(Tc)7.4A(Tc)7.4A(Tj)8A(Tj)10A(Tc)10A(Tj)11A(Tj)12A(Tc)12A(Tj)13A(Tc)13A(Tj)14A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
19.3 毫欧 @ 37.5A,10V23 毫欧 @ 37.5A,10V25 毫欧 @ 37.5A,10V27.4 毫欧 @ 35A,10V29 毫欧 @ 37.5A,10V33 毫欧 @ 35A,10V40 毫欧 @ 31A,10V40 毫欧 @ 32.5A,10V50 毫欧 @ 29A,10V55 毫欧 @ 23.5A,10V65 毫欧 @ 23A,10V67 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA3,8V @ 300µA3.8V @ 180µA3.8V @ 240µA4V @ 1.1mA4V @ 1.4mA4V @ 1.6mA4V @ 14.3mA4V @ 2.1mA4V @ 2.8mA4V @ 3.9mA4V @ 4.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11 nC @ 10 V15.5 nC @ 10 V16.8 nC @ 10 V17.5 nC @ 10 V18 nC @ 10 V19.3 nC @ 10 V23.5 nC @ 10 V24 nC @ 10 V25 nC @ 10 V25.3 nC @ 10 V26 nC @ 10 V30 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
465 pF @ 400 V725 pF @ 400 V730 pF @ 400 V756 pF @ 400 V885 pF @ 400 V916 pF @ 400 V1010 pF @ 400 V1042 pF @ 400 V1120 pF @ 25 V1143 pF @ 400 V1225 pF @ 400 V1261 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
24W(Tc)26W(Tc)27W(Tc)28W(Tc)29W(Tc)29.5W(Tc)31W(Tc)32W(Tc)33W(Tc)35W(Tc)36W(Tc)37W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-PQFN(8x8)4-TDFN(8x8)8-HPSOFDPAKIPAKPower88TO-220TO-220-3TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SGTO-220FTO-220F-3TO-220FPTO-247-3TO-247-4
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerSFNTO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-4TO-251-3 短引线,IPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
133结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 133
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3
NTHL082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
onsemi
138
现货
1 : ¥82.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
40A(Tc)
10V
82 毫欧 @ 20A,10V
5V @ 4mA
81 nC @ 10 V
±30V
3410 pF @ 400 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NTHL040N65S3F
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
onsemi
225
现货
1 : ¥130.70000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
65A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 32.5A,10V
5V @ 6.5mA
158 nC @ 10 V
±30V
5940 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
FCH023N65S3-F155
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
onsemi
10,178
现货
1 : ¥174.87000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 37.5A,10V
4.5V @ 7.5mA
222 nC @ 10 V
±30V
7160 pF @ 400 V
-
595W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
FCH023N65S3L4
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
onsemi
422
现货
1 : ¥185.54000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 37.5A,10V
4.5V @ 7.5mA
222 nC @ 10 V
±30V
7160 pF @ 400 V
-
595W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-263
NTB190N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
onsemi
1,570
现货
800
工厂
1 : ¥36.45000
剪切带(CT)
800 : ¥22.01531
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 10A,10V
5V @ 430µA
34 nC @ 10 V
±30V
1610 pF @ 400 V
-
162W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
NVB099N65S3
SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
onsemi
3,550
现货
3,200
工厂
1 : ¥38.83000
剪切带(CT)
800 : ¥23.42165
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
30A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 15A,10V
4.5V @ 740µA
61 nC @ 10 V
±30V
2480 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220F
FCPF099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A TO220F
onsemi
3,404
现货
20,000
工厂
1 : ¥45.56000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
30A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 15A,10V
4.5V @ 3mA
57 nC @ 10 V
±30V
2310 pF @ 400 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
TO-263
FCB070N65S3
MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
onsemi
1,491
现货
1 : ¥50.00000
剪切带(CT)
800 : ¥31.51251
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
44A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 22A,10V
4.5V @ 4.4mA
78 nC @ 10 V
±30V
3090 pF @ 400 V
-
312W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
FCP067N65S3
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
onsemi
760
现货
1 : ¥50.90000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
44A(Tc)
10V
67 毫欧 @ 22A,10V
4.5V @ 4.4mA
78 nC @ 10 V
±30V
3090 pF @ 400 V
-
312W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
NTP067N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
onsemi
779
现货
1 : ¥60.92000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
40A(Tc)
10V
67 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 3.9mA
80 nC @ 10 V
±30V
3750 pF @ 400 V
-
266W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-3
FCH040N65S3-F155
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
onsemi
1,086
现货
1 : ¥101.06000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
65A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 32.5A,10V
4.5V @ 6.5mA
136 nC @ 10 V
±30V
4740 pF @ 400 V
-
417W(Tc)
-55°C ~ 150°C
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NVHL025N65S3
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
onsemi
268
现货
1,800
工厂
1 : ¥171.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 37.5A,10V
4.5V @ 3mA
236 nC @ 10 V
±30V
7330 pF @ 400 V
-
595W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220F-3
FCPF250N65S3R0L-F154
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
onsemi
1,845
现货
1 : ¥18.96000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
12A(Tj)
10V
250 毫欧 @ 6A,10V
4.5V @ 290µA
24 nC @ 10 V
±30V
1010 pF @ 400 V
-
31W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-252 DPAK
NTD360N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
onsemi
2,892
现货
2,500
工厂
1 : ¥19.54000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.79832
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
10A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 700µA
17.5 nC @ 10 V
±30V
916 pF @ 400 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3 Full Pack
NTPF360N80S3Z
MOSFET N-CH 800V 13A TO220FP
onsemi
1,983
现货
1 : ¥19.70000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
13A(Tc)
10V
360毫欧 @ 6,5A,10V
3,8V @ 300µA
25.3 nC @ 10 V
±20V
1143 pF @ 400 V
-
31W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-252AA
FCD260N65S3
MOSFET N-CH 650V 12A TO252
onsemi
2,420
现货
1 : ¥21.51000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.68278
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
12A(Tc)
10V
260 毫欧 @ 6A,10V
4.5V @ 1.2mA
24 nC @ 10 V
±30V
1010 pF @ 400 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220F-3
FCPF360N65S3R0L-F154
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
onsemi
640
现货
1 : ¥23.40000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
10A(Tj)
10V
360 毫欧 @ 5A,10V
4.5V @ 200µA
18 nC @ 10 V
±30V
730 pF @ 400 V
-
27W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-263
FCB260N65S3
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
onsemi
1,531
现货
1 : ¥26.44000
剪切带(CT)
800 : ¥15.93903
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
12A(Tc)
10V
260 毫欧 @ 6A,10V
4.5V @ 1.2mA
24 nC @ 10 V
±30V
1010 pF @ 400 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
NVB190N65S3F
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
onsemi
627
现货
1 : ¥31.44000
剪切带(CT)
800 : ¥18.97850
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 10A,10V
5V @ 430µA
34 nC @ 10 V
±30V
1605 pF @ 400 V
-
162W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
FCP099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
onsemi
800
现货
1 : ¥32.43000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
30A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 15A,10V
4.5V @ 3mA
61 nC @ 10 V
±30V
2480 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3 Full Pack
NTPF110N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP
onsemi
483
现货
3,000
工厂
1 : ¥36.21000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
30A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 15A,10V
5V @ 740µA
62 nC @ 10 V
±30V
2635 pF @ 400 V
-
240W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
FCP125N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
onsemi
750
现货
1 : ¥36.29000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
125 毫欧 @ 12A,10V
4.5V @ 2.4mA
46 nC @ 10 V
±30V
1940 pF @ 400 V
-
181W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263
FCB125N65S3
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
onsemi
648
现货
1,600
工厂
1 : ¥39.49000
剪切带(CT)
800 : ¥23.82495
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
125 毫欧 @ 12A,10V
4.5V @ 590µA
46 nC @ 10 V
±30V
1940 pF @ 400 V
-
181W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220F
FCPF125N65S3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
onsemi
563
现货
1 : ¥39.49000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
125 毫欧 @ 12A,10V
4.5V @ 2.4mA
44 nC @ 10 V
±30V
1790 pF @ 400 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
TO-263
NTB150N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
onsemi
790
现货
1 : ¥42.03000
剪切带(CT)
800 : ¥25.37323
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
150 毫欧 @ 12A,10V
5V @ 540µA
43 nC @ 10 V
±30V
1985 pF @ 400 V
-
192W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 133

onsemi 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。