单 FET，MOSFET

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Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
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FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRLR8726TRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
17,729
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.70857
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
86A（Tc）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 25A，10V
2.35V @ 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRLR8726TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
8,297
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.70854
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
86A（Tc）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 25A，10V
2.35V @ 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRLR8726PBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
86A（Tc）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 25A，10V
2.35V @ 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。