单 FET,MOSFET

结果 : 14
制造商
IXYSLittelfuse Inc.
产品状态
停产在售
技术
SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A(Tc)6.2A(Tc)6.4A(Tc)22A(Tc)27A(Tc)39A(Tc)70A(Tc)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,20V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
32 毫欧 @ 50A,20V50 毫欧 @ 40A,20V100 毫欧 @ 20A,20V150 毫欧 @ 14A,20V200 毫欧 @ 10A,20V1 欧姆 @ 2A,20V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 10mA4V @ 1mA4V @ 20mA4V @ 30mA4V @ 5mA4V @ 7mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11 nC @ 20 V13 nC @ 20 V15 nC @ 20 V50 nC @ 20 V57 nC @ 20 V63 nC @ 20 V80 nC @ 20 V92 nC @ 20 V95 nC @ 20 V175 nC @ 20 V265 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
+22V,-6V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
170 pF @ 800 V200 pF @ 1000 V317 pF @ 800 V495 pF @ 800 V870 pF @ 800 V890 pF @ 800 V1125 pF @ 800 V1130 pF @ 800 V1825 pF @ 800 V
功率耗散(最大值)
54W(Tc)60W(Tc)65W(Tc)125W(Tc)139W(Tc)156W(Tc)179W(Tc)214W(Tc)357W(Tc)500W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247-4LTO-247ADTO-263-7TO-263-7L
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
搜索条目

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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LSIC1MO170E0750
LSIC1MO170E0750
SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
Littelfuse Inc.
1,465
现货
16,200
工厂
1 : ¥65.92000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
6.2A(Tc)
20V
1 欧姆 @ 2A,20V
4V @ 1mA
13 nC @ 20 V
+22V,-6V
200 pF @ 1000 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AD
TO-247-3
LSIC1MO170TO750_TO-263-7L_1
LSIC1MO170T0750
SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
Littelfuse Inc.
1,104
现货
1 : ¥56.98000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
6.4A(Tc)
20V
1 欧姆 @ 2A,20V
4V @ 1mA
11 nC @ 20 V
+22V,-6V
200 pF @ 1000 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-3 AD Long Lead EP
LSIC1MO120E0160
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Littelfuse Inc.
2,297
现货
1 : ¥69.04000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
22A(Tc)
20V
200 毫欧 @ 10A,20V
4V @ 5mA
57 nC @ 20 V
+22V,-6V
870 pF @ 800 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AD
TO-247-3
TO-247-3 AD Long Lead EP
LSIC1MO120E0120
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Littelfuse Inc.
854
现货
1 : ¥136.94000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
27A(Tc)
20V
150 毫欧 @ 14A,20V
4V @ 7mA
80 nC @ 20 V
+22V,-6V
1125 pF @ 800 V
-
139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AD
TO-247-3
TO-247-3 AD Long Lead EP
LSIC1MO120E0080
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥173.23000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
39A(Tc)
20V
100 毫欧 @ 20A,20V
4V @ 10mA
95 nC @ 20 V
+22V,-6V
1825 pF @ 800 V
-
179W(Tc)
-55°C ~ 150°C
通孔
TO-247AD
TO-247-3
LSIC1MO120G0160
LSIC1MO120G0040
MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥249.41000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
70A(Tc)
20V
50 毫欧 @ 40A,20V
4V @ 20mA
175 nC @ 20 V
+22V,-6V
317 pF @ 800 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
LSIC1MO120G0025
MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥359.75000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
100A(Tc)
20V
32 毫欧 @ 50A,20V
4V @ 30mA
265 nC @ 20 V
+22V,-6V
495 pF @ 800 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-3 AD Long Lead EP
LSIC1MO170E1000
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
Littelfuse Inc.
0
现货
450 : ¥35.29869
管件
-
管件
停产
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
5A(Tc)
15V,20V
1 欧姆 @ 2A,20V
4V @ 1mA
15 nC @ 20 V
+22V,-6V
200 pF @ 1000 V
-
54W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AD
TO-247-3
TO-263-7
LSIC1MO120T0160-TU
1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263-
IXYS
0
现货
查看交期
400 : ¥65.89455
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
22A(Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-263-7
LSIC1MO120T0120-TU
1200V/120MOHM SIC MOSFET TO-263-
IXYS
0
现货
查看交期
400 : ¥92.21623
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
27A(Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-263-7
LSIC1MO120T0080-TU
1200V/80MOHM SIC MOSFET TO-263-7
IXYS
0
现货
查看交期
400 : ¥124.08505
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
39A(Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
LSIC1MO120G0160
LSIC1MO120G0120
MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
现货
在售
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
27A(Tc)
20V
150 毫欧 @ 14A,20V
4V @ 7mA
63 nC @ 20 V
+22V,-6V
1130 pF @ 800 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
LSIC1MO120G0080
MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
现货
在售
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
39A(Tc)
20V
100 毫欧 @ 20A,20V
4V @ 10mA
92 nC @ 20 V
+22V,-6V
170 pF @ 800 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
现货
在售
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
22A(Tc)
20V
200 毫欧 @ 10A,20V
4V @ 5mA
50 nC @ 20 V
+22V,-6V
890 pF @ 800 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
/ 14

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。