RF FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
MACOM Technology SolutionsNXP USA Inc.
系列
-GaN
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）托盘
技术
HEMTLDMOS
频率
520MHz6GHz
增益
17dB20.9dB
电压 - 测试
7.5 V50 V
电流 - 测试
65 mA100 mA
功率 - 输出
4.9W40W
电压 - 额定
30 V150 V
封装/外壳
TO-243AA模具
供应商器件封装
SOT-89A模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-243AA
AFT05MS004NT1
RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A
NXP USA Inc.
29,467
现货
1 : ¥23.15000
剪切带（CT）
1,000 : ¥11.36795
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
520MHz
20.9dB
7.5 V
-
-
100 mA
4.9W
30 V
表面贴装型
TO-243AA
SOT-89A
0
现货
查看交期
10 : ¥1,138.41300
托盘
托盘
在售
HEMT
6GHz
17dB
50 V
-
-
65 mA
40W
150 V
-
模具
模具
显示
/ 2

RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。