栅极驱动器

结果 : 138
制造商
IXYSIXYS Integrated Circuits Division
包装
卷带(TR)散装管件
驱动配置
低端半桥
通道类型
单路独立式
驱动器数
12
栅极类型
IGBT,N 沟道 MOSFETIGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFETN 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 供电
4.5V ~ 25V4.5V ~ 30V4.5V ~ 35V8V ~ 30V8.5V ~ 35V10V ~ 35V
逻辑电压 - VIL,VIH
0.8V,2.4V0.8V,2.5V0.8V,3.5V0.8V,3V1V,2.5V2.4V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
600mA,600mA2A,2A4A,4A8A,8A9A,9A14A,14A15A,15A30A,30A
输入类型
反相反相,非反相非反相
上升/下降时间(典型值)
4.5ns,3.5ns7.5ns,6.5ns8ns,8ns9ns,8ns10ns,10ns14ns,15ns16ns,13ns18ns,16ns22ns,20ns25ns,18ns25ns,22ns25ns,23ns28ns,18ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
6-VDFN 裸露焊盘8-DIP(0.300",7.62mm)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘8-VDFN 裸露焊盘14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)TO-220-5TO-263-6,D2PAK(5 引线 + 凸片),TO-263BA
供应商器件封装
6-DFN(4x5)8-DFN(4x5)8-DIP8-SOIC8-SOIC-EP14-SOIC16-SOIC28-SOICTO-220-5TO-263-5TO-263(D2PAK)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
138结果
搜索条目

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/ 138
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
驱动配置
通道类型
驱动器数
栅极类型
电压 - 供电
逻辑电压 - VIL,VIH
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
输入类型
高压侧电压 - 最大值(自举)
上升/下降时间(典型值)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-DIP
IXDD408PI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 25V
0.8V,3.5V
8A,8A
非反相
-
14ns,15ns
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-DIP
8-DIP
IXDD404PI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,2.5V
4A,4A
非反相
-
16ns,13ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-DIP
8-SOIC
IXDD404SI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,2.5V
4A,4A
非反相
-
16ns,13ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
16-SOIC
IXDD404SI-16
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,2.5V
4A,4A
非反相
-
16ns,13ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
16-SOIC
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
IXDD408CI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 25V
0.8V,3.5V
8A,8A
非反相
-
14ns,15ns
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-5
TO-220-5
8-SOIC
IXDD408SI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 25V
0.8V,3.5V
8A,8A
非反相
-
14ns,15ns
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
IXDD408YI
IXDD408YI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 25V
0.8V,3.5V
8A,8A
非反相
-
14ns,15ns
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-6,D2PAK(5 引线 + 凸片),TO-263BA
TO-263-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
IXDD414CI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,3.5V
14A,14A
非反相
-
25ns,22ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-5
TO-220-5
8-DIP
IXDD414PI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,3.5V
14A,14A
非反相
-
25ns,22ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-DIP
IXDD414YI
IXDD414YI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,3.5V
14A,14A
非反相
-
25ns,22ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-6,D2PAK(5 引线 + 凸片),TO-263BA
TO-263-5
8-DIP
IXDI404PI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,2.5V
4A,4A
反相
-
16ns,13ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-DIP
8-SOIC
IXDI404SI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,2.5V
4A,4A
反相
-
16ns,13ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
16-SOIC
IXDI404SI-16
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,2.5V
4A,4A
反相
-
16ns,13ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
16-SOIC
8-DIP
IXDN404PI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,2.5V
4A,4A
非反相
-
16ns,13ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-DIP
8-SOIC
IXDN404SI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,2.5V
4A,4A
非反相
-
16ns,13ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
16-SOIC
IXDN404SI-16
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,2.5V
4A,4A
非反相
-
16ns,13ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
16-SOIC
8-DIP
IXDF404PI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,2.5V
4A,4A
反相,非反相
-
16ns,13ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-DIP
8-SOIC
IXDF404SI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,2.5V
4A,4A
反相,非反相
-
16ns,13ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
16-SOIC
IXDF404SI-16
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,2.5V
4A,4A
反相,非反相
-
16ns,13ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
16-SOIC
TO-263-5L
IXDN430MYI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
IXYS
0
现货
停产
-
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
8.5V ~ 35V
0.8V,3.5V
30A,30A
非反相
-
18ns,16ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-6,D2PAK(5 引线 + 凸片),TO-263BA
TO-263-5
8-SOIC
IXDI402SI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,3V
2A,2A
反相
-
8ns,8ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
IXDD409YI
IXDD409YI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,3.5V
9A,9A
非反相
-
10ns,10ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-6,D2PAK(5 引线 + 凸片),TO-263BA
TO-263-5
8-SOIC
IXDF402SI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,3V
2A,2A
反相,非反相
-
8ns,8ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
14-SOIC
IXDN414SI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 14SOIC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,3.5V
14A,14A
非反相
-
22ns,20ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
14-SOIC
8-DIP
IXDF502PI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,3V
2A,2A
反相,非反相
-
7.5ns,6.5ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-DIP
显示
/ 138

栅极驱动器


栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。