JFET

结果 : 3
制造商
Linear Integrated Systems, Inc.onsemiTexas Instruments
系列
-SST406
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
40 V50 V
漏源电压(Vdss)
40 V50 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
500 µA @ 10 V16 mA @ 5 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
300 mV @ 100 µA500 mV @ 1 nA1.5 V @ 0.1 µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
8pF @ 15V10.5pF @ 5V13pF @ 5V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
5-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
5-MCPH8-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
漏源电压(Vdss)
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
漏极电流 (Id) - 最大值
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
JFE2140DR
JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC
Texas Instruments
3,063
现货
1 : ¥36.04000
剪切带(CT)
2,500 : ¥18.08565
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
2 N-通道(双)
40 V
40 V
-
50 mA
1.5 V @ 0.1 µA
13pF @ 5V
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
5-MCPH
MCH5908H-TL-E
JFET 2N-CH 50MA 5MCPH
onsemi
5,689
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.12681
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
2 N-通道(双)
-
-
16 mA @ 5 V
50 mA
300 mV @ 100 µA
10.5pF @ 5V
300 mW
150°C(TJ)
表面贴装型
5-SMD,扁平引线
5-MCPH
1,815
现货
1 : ¥56.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥30.10598
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
2 N-通道(双)
50 V
50 V
500 µA @ 10 V
-
500 mV @ 1 nA
8pF @ 15V
300 mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
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JFET


结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。