JFET

结果 : 2
制造商
Linear Integrated Systems, Inc.onsemi
系列
-PN4392
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
35 V40 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
16pF @ 20V-
电阻 - RDS(On)
60 Ohms100 Ohms
功率 - 最大值
350 mW625 mW
供应商器件封装
TO-92TO-92-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
电阻 - RDS(On)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J113
JFET N-CH 35V TO92-3
onsemi
11,406
现货
30,000
工厂
1 : ¥3.12000
散装
-
散装
在售
N 通道
35 V
2 mA @ 15 V
500 mV @ 1 µA
-
100 Ohms
625 mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92-3
715
现货
1 : ¥24.38000
散装
散装
在售
N 通道
40 V
-
-
16pF @ 20V
60 Ohms
350 mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92
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JFET


结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。