JFET

结果 : 5
制造商
Linear Integrated Systems, Inc.onsemiTexas Instruments
系列
-LSK489SST309
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
2 N-通道（双）N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
25 V40 V60 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
1 mA @ 15 V2.5 mA @ 15 V20 mA @ 5 V24 mA @ 10 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
500 mV @ 10 nA600 mV @ 100 µA1.5 V @ 1 nA1.5 V @ 0.1 µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4pF @ 10V6pF @ 5V7pF @ 15V8pF @ 15V24pF @ 5V
功率 - 最大值
350 mW500 mW700 mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 125°C（TA）150°C（TJ）
封装/外壳
5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353SC-74，SOT-457SOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
6-CPHSC-70-5SOT-23-3SOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
漏源电压（Vdss）
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
漏极电流 (Id) - 最大值
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
电阻 - RDS(On)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-23-3
MMBF5457
JFET N-CH 25V SOT23-3
onsemi
45,382
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02259
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
25 V
-
1 mA @ 15 V
-
500 mV @ 10 nA
7pF @ 15V
-
350 mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
6-CPH
CPH6904-TL-E
JFET 2N-CH 50MA 6CPH
onsemi
32,843
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.12689
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
2 N-通道（双）
-
-
20 mA @ 5 V
50 mA
600 mV @ 100 µA
6pF @ 5V
-
700 mW
150°C（TJ）
表面贴装型
SC-74，SOT-457
6-CPH
SC70-5
JFE150DCKR
JFET N-CH 40V 50MA SC70-5
Texas Instruments
6,361
现货
1 : ¥16.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.54390
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
40 V
40 V
24 mA @ 10 V
50 mA
1.5 V @ 0.1 µA
24pF @ 5V
-
-
-40°C ~ 125°C（TA）
表面贴装型
5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
SC-70-5
3,790
现货
1 : ¥34.32000
剪切带（CT）
3,000 : ¥17.20403
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
25 V
-
-
-
-
4pF @ 10V
35 Ohms
350 mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2,950
现货
1 : ¥56.98000
剪切带（CT）
3,000 : ¥30.32762
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
2 N-通道（双）
60 V
-
2.5 mA @ 15 V
-
1.5 V @ 1 nA
8pF @ 15V
-
500 mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
显示
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JFET

结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力，这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道，因此 JFET 不需要偏置电流。