IGBT 模块

结果 : 16
制造商
Infineon TechnologiesVishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-CHEXFRED®
包装
托盘散装管件
产品状态
停产在售
IGBT 类型
-NPT沟槽型场截止
配置
2 个独立式三相反相器半桥半桥逆变器单路双,共源
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V650 V700 V1200 V1700 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
45 A75 A96 A105 A150 A240 A260 A281 A310 A320 A400 A460 A1200 A
功率 - 最大值
215 W259 W355 W385 W680 W790 W1050 W1087 W1100 W1250 W1500 W1600 W2400 W3350 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V,200A2.05V @ 15V,100A2.1V @ 15V,400A2.15V @ 15V,150A2.15V @ 15V,200A2.15V @ 15V,300A2.15V @ 15V,75A2.2V @ 15V,75A2.25V @ 15V,25A2.3V @ 15V,100A2.3V @ 15V,400A2.3V @ 15V,600A2.45V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值)
50 µA100 µA1 mA3 mA5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
1.45 nF @ 25 V4.3 nF @ 25 V5.3 nF @ 25 V9.35 nF @ 25 V14 nF @ 25 V18000 pF @ 25 V18 nF @ 25 V19 nF @ 25 V28 nF @ 25 V36 nF @ 25 V49 nF @ 25 V
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 125°C-40°C ~ 125°C(TJ)-40°C ~ 150°C-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOC模块
供应商器件封装
AG-EASY1BINT-A-PAK IGBTPG-MDIP-14-1SOT-227模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果

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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿(最大值)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
220
现货
1 : ¥342.83000
托盘
-
托盘
在售
-
半桥
1200 V
45 A
215 W
2.25V @ 15V,25A
1 mA
1.45 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
AG-EASY1B
244
现货
1 : ¥372.22000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
单路
1200 V
281 A
1087 W
2.05V @ 15V,100A
100 µA
9.35 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227-4,miniBLOC
SOT-227
FZ600R17KE3
FZ400R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 400A 2400W
Infineon Technologies
174
现货
1 : ¥766.52000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
单路
1200 V
400 A
2400 W
2.1V @ 15V,400A
5 mA
28 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
模块
IGBT MODULE C SERIES
FF200R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 240A 1100W
Infineon Technologies
68
现货
1 : ¥777.19000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
240 A
1100 W
2.15V @ 15V,200A
5 mA
14 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
模块
12
现货
164
市场
3 : ¥844.62000
散装
1 : ¥903.62000
托盘
散装
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
600 V
260 A
680 W
1.9V @ 15V,200A
5 mA
-
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
模块
189
现货
1 : ¥1,215.34000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
双,共源
700 V
400 A
1500 W
2.3V @ 15V,400A
100 µA
18000 pF @ 25 V
标准
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
PG-MDIP-14-1
IGBT MODULE C SERIES
FF200R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 320A 1100W
Infineon Technologies
9
现货
1 : ¥777.19000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
320 A
1100 W
2.15V @ 15V,200A
5 mA
14 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
模块
FP75R12KE3BOSA1
FP75R12KE3BOSA1
IGBT MOD 1200V 105A 355W
Infineon Technologies
21
现货
1 : ¥1,190.95000
托盘
-
托盘
在售
NPT
单路
1200 V
105 A
355 W
2.2V @ 15V,75A
5 mA
5.3 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 125°C(TJ)
底座安装
模块
模块
FZ600R17KE4HOSA1
FZ600R17KE4HOSA1
IGBT MOD 1700V 1200A 3350W
Infineon Technologies
12
现货
1 : ¥1,198.34000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
单路
1700 V
1200 A
3350 W
2.3V @ 15V,600A
1 mA
49 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
IGBT MODULE C SERIES
FF200R17KE3HOSA1
IGBT MOD 1700V 310A 1250W
Infineon Technologies
16
现货
1 : ¥1,282.49000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1700 V
310 A
1250 W
2.45V @ 15V,200A
3 mA
18 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 125°C(TJ)
底座安装
模块
模块
16
现货
22
市场
2 : ¥1,713.13000
散装
1 : ¥1,625.73000
托盘
散装
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1700 V
400 A
-
2.3V @ 15V,400A
1 mA
36 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
13
现货
1 : ¥1,072.90000
托盘
-
托盘
在售
-
2 个独立式
1200 V
-
1050 W
2.15V @ 15V,200A
5 mA
14 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 125°C
底座安装
模块
模块
22
现货
11
市场
2 : ¥1,248.39500
散装
1 : ¥1,204.34000
托盘
-
散装
托盘
在售
沟槽型场截止
三相反相器
1200 V
75 A
385 W
2.15V @ 15V,75A
1 mA
4.3 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
模块
12
现货
1 : ¥590.92000
-
在售
沟槽型场截止
半桥逆变器
650 V
96 A
259 W
2.3V @ 15V,100A
50 µA
-
标准
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
INT-A-PAK IGBT
FF300R12KE4HOSA1
FF300R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 460A 1600W
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥937.36000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
2 个独立式
1200 V
460 A
1600 W
2.15V @ 15V,300A
5 mA
19 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
0
现货
停产
托盘
停产
沟槽型场截止
半桥
1200 V
150 A
790 W
2.15V @ 15V,150A
1 mA
-
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
模块
显示
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IGBT 模块


绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。