IGBT 模块

结果 : 6
系列
EconoDUAL™ 3HybridPACK™IHM-AIHM-BPrimePACK™3
IGBT 类型
-沟槽型场截止沟道
配置
2 个独立式全桥反相器单开关
电压 - 集射极击穿(最大值)
705 V750 V1700 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
500 A900 A1200 A2400 A4800 A
功率 - 最大值
20 mW1200 W1250 W7800 W15500 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.7V @ 15V,400A1.85V @ 15V,900A2.25V @ 15V,1200A2.25V @ 15V,2400A-
电流 - 集电极截止(最大值)
100 µA5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
28 nF @ 25 V65 nF @ 25 V93.8 nF @ 25 V97 nF @ 25 V195 nF @ 25 V
输入
三相桥式整流器标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 150°C-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)-
安装类型
-底座安装
封装/外壳
-模块
供应商器件封装
-A-IHV130-3AG-HYBRID1-1模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿(最大值)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
28
现货
1 : ¥2,904.71000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
全桥反相器
705 V
500 A
1250 W
1.7V @ 15V,400A
100 µA
28 nF @ 25 V
三相桥式整流器
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
AG-HYBRID1-1
8
现货
1 : ¥2,470.82000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
2 个独立式
1700 V
900 A
20 mW
1.85V @ 15V,900A
5 mA
93.8 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
-
IHVAFZ1682170244
FZ1200R17HP4HOSA2
IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
Infineon Technologies
2
现货
1 : ¥5,424.22000
托盘
托盘
在售
沟道
单开关
1700 V
1200 A
7800 W
2.25V @ 15V,1200A
5 mA
97 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
2
现货
1 : ¥8,160.22000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
2 个独立式
1700 V
1200 A
1200 W
-
5 mA
65 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
A-IHV130-3
FF2400RB12IP7PBPSA1
FF2400RB12IP7PBPSA1
PP IHM I XHP 1 7KV AG-PRIME3+-71
Infineon Technologies
1
现货
1 : ¥8,789.33000
托盘
托盘
在售
-
2 个独立式
750 V
2400 A
-
-
-
-
标准
-
-
-
-
1
现货
1 : ¥8,767.99000
托盘
托盘
在售
沟道
单开关
1700 V
4800 A
15500 W
2.25V @ 15V,2400A
5 mA
195 nF @ 25 V
标准
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
显示
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IGBT 模块


绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。