FET、MOSFET 阵列

结果 : 20
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V30V,20V35V40V80V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.1A2.7A3.5A4A5.5A5.5A,4A6A6.4A,4.5A7A7A,5A7.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 7.5A,10V23 毫欧 @ 7A,10V24 毫欧 @ 7A,10V26 毫欧 @ 6.4A,10V26 毫欧 @ 6.4A,10V,51 毫欧 @ 4.5A,10V28 毫欧 @ 7A,10V29 毫欧 @ 6A,10V30 毫欧 @ 5.5A,4.5V30 毫欧 @ 7A,10V52 毫欧 @ 4A,10V55 毫欧 @ 4A,4.5V62 毫欧 @ 3.5A,10V105 毫欧 @ 2.7A,10V183 毫欧 @ 2.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.1nC @ 10V5.3nC @ 10V5.8nC @ 4.5V,9.6nC @ 4.5V7.1nC @ 10V7.7nC @ 5V11nC @ 5V12nC @ 10V13nC @ 10V16nC @ 10V19nC @ 10V26nC @ 10V27nC @ 10V28nC @ 4.5V28nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
210pF @ 50V302pF @ 50V398pF @ 50V540pF @ 15V540pF @ 15V,760pF @ 15V570pF @ 15V575pF @ 15V635pF @ 15V730pF @ 15V789pF @ 10V879pF @ 40V900pF @ 10V955pF @ 20V1130pF @ 10V
功率 - 最大值
900mW1.6W2W
供应商器件封装
8-SO8-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
20结果

显示
/ 20
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
FDS8984
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
onsemi
15,778
现货
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.19178
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
7A
23 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 250µA
13nC @ 10V
635pF @ 15V
1.6W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8949
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
onsemi
15,718
现货
1 : ¥9.44000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.89341
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
6A
29 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
11nC @ 5V
955pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS89161LZ
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
onsemi
13,536
现货
1 : ¥11.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.94600
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
100V
2.7A
105 毫欧 @ 2.7A,10V
2.2V @ 250µA
5.3nC @ 10V
302pF @ 50V
1.6W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS89141
MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
onsemi
22,484
现货
1 : ¥23.32000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.49848
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
100V
3.5A
62 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 250µA
7.1nC @ 10V
398pF @ 50V
1.6W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS89161
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
onsemi
14,335
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.78301
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
100V
2.7A
105 毫欧 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
4.1nC @ 10V
210pF @ 50V
1.6W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8958A
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
onsemi
2,632
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.73236
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
7A,5A
28 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
16nC @ 10V
575pF @ 15V
900mW
-
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8958B
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC
onsemi
23,689
现货
1 : ¥10.84000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.76365
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.4A,4.5A
26 毫欧 @ 6.4A,10V
3V @ 250µA
12nC @ 10V
540pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8978
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
onsemi
894
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
7.5A
18 毫欧 @ 7.5A,10V
2.5V @ 250µA
26nC @ 10V
1270pF @ 15V
1.6W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8934A
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
onsemi
0
现货
2,500 : ¥5.14631
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
4A
55 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
28nC @ 5V
1130pF @ 10V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8928A
MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/4A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V,20V
5.5A,4A
30 毫欧 @ 5.5A,4.5V
1V @ 250µA
28nC @ 4.5V
900pF @ 10V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8947A
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
4A
52 毫欧 @ 4A,10V
3V @ 250µA
27nC @ 10V
730pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8926A
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
5.5A
30 毫欧 @ 5.5A,4.5V
1V @ 250µA
28nC @ 4.5V
900pF @ 10V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8962C
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
7A,5A
30 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
26nC @ 10V
575pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8958
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
7A,5A
28 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
26nC @ 10V
789pF @ 10V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8960C
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
35V
7A,5A
24 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
7.7nC @ 5V
570pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8949-F085
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
6A
29 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
11nC @ 5V
955pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8958A-F085
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
7A,5A
28 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
16nC @ 10V
575pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8984-F085
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
7A
23 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 250µA
13nC @ 10V
635pF @ 15V
1.6W
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8935
MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
80V
2.1A
183 毫欧 @ 2.1A,10V
3V @ 250µA
19nC @ 10V
879pF @ 40V
1.6W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC,M8
FDS8958B_G
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
6.4A,4.5A
26 毫欧 @ 6.4A,10V,51 毫欧 @ 4.5A,10V
3V @ 250µA
5.8nC @ 4.5V,9.6nC @ 4.5V
540pF @ 15V,760pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
显示
/ 20

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。