FET、MOSFET 阵列

结果 : 19
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.9A5.2A5.3A6.5A6.5A(Ta)6.6A6.6A,5.3A-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
29 毫欧 @ 5.8A,10V29 毫欧 @ 6A,4.5V58 毫欧 @ 2.9A,4.5V58 毫欧 @ 4.9A,10V58 毫欧 @ 5.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
27nC @ 4.5V29nC @ 4.5V33nC @ 10V34nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
650pF @ 25V710pF @ 25V780pF @ 15V900pF @ 15V913pF @ 15V
功率 - 最大值
2W2W(Ta)2.4W
供应商器件封装
8-SO8-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果

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/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
17,137
现货
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.04715
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
-
29 毫欧 @ 5.8A,10V
1V @ 250µA
33nC @ 10V
650pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7313TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Infineon Technologies
6,714
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.74485
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
6.5A
29 毫欧 @ 5.8A,10V
1V @ 250µA
33nC @ 10V
650pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7316TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Infineon Technologies
43,528
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.40233
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
4.9A
58 毫欧 @ 4.9A,10V
1V @ 250µA
34nC @ 10V
710pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7316GTRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Infineon Technologies
2,291
现货
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.65587
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
4.9A
58 毫欧 @ 4.9A,10V
1V @ 250µA
34nC @ 10V
710pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7314TRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Infineon Technologies
14
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.92809
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
5.3A
58 毫欧 @ 2.9A,4.5V
700mV @ 250µA
29nC @ 4.5V
780pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7311TR
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
4,000 : ¥7.94032
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
6.6A
29 毫欧 @ 6A,4.5V
700mV @ 250µA
27nC @ 4.5V
900pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7317TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥8.95000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.69887
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
6.6A,5.3A
29 毫欧 @ 6A,4.5V
700mV @ 250µA
27nC @ 4.5V
900pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7311TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
6.6A
29 毫欧 @ 6A,4.5V
700mV @ 250µA
27nC @ 4.5V
900pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7316QTRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
4.9A
58 毫欧 @ 4.9A,10V
1V @ 250µA
34nC @ 10V
710pF @ 25V
2W
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7316TR
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
4,000 : ¥15.38164
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
4.9A
58 毫欧 @ 4.9A,10V
1V @ 250µA
34nC @ 10V
710pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7314PBF
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
5.3A
58 毫欧 @ 2.9A,4.5V
700mV @ 250µA
29nC @ 4.5V
780pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7319PBF
MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
-
29 毫欧 @ 5.8A,10V
1V @ 250µA
33nC @ 10V
650pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7311PBF
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
6.6A
29 毫欧 @ 6A,4.5V
700mV @ 250µA
27nC @ 4.5V
900pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7317PBF
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
6.6A,5.3A
29 毫欧 @ 6A,4.5V
700mV @ 250µA
27nC @ 4.5V
900pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7313PBF
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
6.5A
29 毫欧 @ 5.8A,10V
1V @ 250µA
33nC @ 10V
650pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7316PBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
4.9A
58 毫欧 @ 4.9A,10V
1V @ 250µA
34nC @ 10V
710pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7314QTRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SOIC
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
5.2A
58 毫欧 @ 5.2A,4.5V
700mV @ 250µA
29nC @ 4.5V
913pF @ 15V
2.4W
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7313QTRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
6.5A
29 毫欧 @ 5.8A,10V
1V @ 250µA
33nC @ 10V
650pF @ 25V
2W
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7313TRPBF-1
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
6.5A(Ta)
29 毫欧 @ 5.8A,10V
1V @ 250µA
33nC @ 10V
650pF @ 25V
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
显示
/ 19

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。