FET、MOSFET 阵列

结果 : 23
系列
-POWER MOS 7®
技术
MOSFET(金属氧化物)碳化硅(SiC)
配置
2 N 沟道(双)非对称型2 N-通道(双)2 个 N 通道(半桥)4 N 沟道(全桥)6 N-沟道(3 相桥)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A26A37A46A51A90A99A150A163A180A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 90A,10V22.5 毫欧 @ 81.5A,10V28 毫欧 @ 75A,10V39 毫欧 @ 49.5A,10V45 毫欧 @ 45A,10V78 毫欧 @ 25.5A,10V90 毫欧 @ 23A,10V120 毫欧 @ 18.5A,10V168 毫欧 @ 13A,10V180 毫欧 @ 21A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 10mA5V @ 1mA5V @ 2.5mA5V @ 5mA5V @ 6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
72nC @ 10V96nC @ 10V123nC @ 10V140nC @ 10V170nC @ 10V246nC @ 10V280nC @ 10V434nC @ 10V492nC @ 10V560nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3259pF @ 25V4367pF @ 25V5448pF @ 25V5590pF @ 25V5600pF @ 25V7000pF @ 25V11200pF @ 25V14000pF @ 25V19600pF @ 25V22400pF @ 25V28000pF @ 25V
功率 - 最大值
208W312W357W390W694W781W1136W1250W
封装/外壳
SP1SP3SP4SP6
供应商器件封装
SP1SP3SP4SP6SP6-P
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
23结果

显示
/ 23
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
APTM50H14FT3G
APTM50H14FT3G
MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
Microchip Technology
13
现货
1 : ¥818.08000
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
500V
26A
168 毫欧 @ 13A,10V
5V @ 1mA
72nC @ 10V
3259pF @ 25V
208W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP3
SP3
APTM50AM38STG
APTM50AM38STG
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
Microchip Technology
6
现货
1 : ¥1,515.31000
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
-
500V
90A
45 毫欧 @ 45A,10V
5V @ 5mA
246nC @ 10V
11200pF @ 25V
694W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP4
SP4
APTM50AM24SG
APTM50AM24SG
MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥2,449.55000
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
-
500V
150A
28 毫欧 @ 75A,10V
5V @ 6mA
434nC @ 10V
19600pF @ 25V
1250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
APTM50HM65FT3G
APTM50HM65FT3G
MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥1,332.73000
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
500V
51A
78 毫欧 @ 25.5A,10V
5V @ 2.5mA
140nC @ 10V
7000pF @ 25V
390W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP3
SP3
MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1
APTM50H15FT1G
MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1
Microchip Technology
0
现货
查看交期
16 : ¥560.54563
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
500V
25A
180 毫欧 @ 21A,10V
5V @ 1mA
170nC @ 10V
5448pF @ 25V
208W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP1
SP1
MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
APTM50DDA10T3G
MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
Microchip Technology
0
现货
在售
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
500V
37A
120 毫欧 @ 18.5A,10V
5V @ 1mA
96nC @ 10V
4367pF @ 25V
312W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP3
SP3
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
APTM50DDAM65T3G
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Microchip Technology
0
现货
在售
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
500V
51A
78 毫欧 @ 25.5A,10V
5V @ 2.5mA
140nC @ 10V
7000pF @ 25V
390W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP3
SP3
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
APTM50H10FT3G
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
7 : ¥1,030.62143
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
500V
37A
120 毫欧 @ 18.5A,10V
5V @ 1mA
96nC @ 10V
4367pF @ 25V
312W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP3
SP3
MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3
APTM50HM75FT3G
MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
9 : ¥1,112.38889
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
500V
46A
90 毫欧 @ 23A,10V
5V @ 2.5mA
123nC @ 10V
5600pF @ 25V
357W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP3
SP3
APTM50AM38FTG
APTM50AM38FTG
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
Microchip Technology
0
现货
查看交期
8 : ¥1,374.19000
散装
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
-
500V
90A
45 毫欧 @ 45A,10V
5V @ 5mA
246nC @ 10V
11200pF @ 25V
694W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP4
SP4
MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
APTM50HM75FTG
MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
Microchip Technology
0
现货
查看交期
8 : ¥1,387.07875
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
500V
46A
90 毫欧 @ 23A,10V
5V @ 2.5mA
123nC @ 10V
5600pF @ 25V
357W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP4
SP4
APTM50HM75STG
APTM50HM75STG
MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
Microchip Technology
0
现货
查看交期
8 : ¥1,421.88750
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
500V
46A
90 毫欧 @ 23A,10V
5V @ 2.5mA
123nC @ 10V
5600pF @ 25V
357W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP4
SP4
APTM50AM35FTG
APTM50AM35FTG
MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
Microchip Technology
0
现货
查看交期
7 : ¥1,604.38429
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
-
500V
99A
39 毫欧 @ 49.5A,10V
5V @ 5mA
280nC @ 10V
14000pF @ 25V
781W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP4
SP4
MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4
APTM50HM65FTG
MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4
Microchip Technology
0
现货
查看交期
7 : ¥1,617.02714
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
500V
51A
78 毫欧 @ 25.5A,10V
5V @ 2.5mA
140nC @ 10V
7000pF @ 25V
390W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP4
SP4
MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
APTM50HM75SCTG
MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
Microchip Technology
0
现货
查看交期
6 : ¥1,702.98000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(全桥)
-
500V
46A
90 毫欧 @ 23A,10V
5V @ 2.5mA
123nC @ 10V
5590pF @ 25V
357W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP4
SP4
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
APTM50DHM38G
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
6 : ¥1,830.57000
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)非对称型
-
500V
90A
45 毫欧 @ 45A,10V
5V @ 5mA
246nC @ 10V
11200pF @ 25V
694W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
APTM50AM38SCTG
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
Microchip Technology
0
现货
查看交期
6 : ¥1,863.16167
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
500V
90A
45 毫欧 @ 45A,10V
5V @ 5mA
246nC @ 10V
11200pF @ 25V
694W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP4
SP4
APT_SP6
APTM50TAM65FPG
MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P
Microchip Technology
0
现货
查看交期
5 : ¥2,408.99800
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
6 N-沟道(3 相桥)
-
500V
51A
78 毫欧 @ 25.5A,10V
5V @ 2.5mA
140nC @ 10V
7000pF @ 25V
390W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6-P
MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
APTM50AM19FG
MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
4 : ¥2,608.24250
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
-
500V
163A
22.5 毫欧 @ 81.5A,10V
5V @ 10mA
492nC @ 10V
22400pF @ 25V
1136W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6
APTM50HM38FG
MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
4 : ¥2,671.95000
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
500V
90A
45 毫欧 @ 45A,10V
5V @ 5mA
246nC @ 10V
11200pF @ 25V
694W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
APTM50AM24SCG
MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
4 : ¥3,013.38250
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
500V
150A
28 毫欧 @ 75A,10V
5V @ 6mA
434nC @ 10V
19600pF @ 25V
1250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
APTM50AM17FG
MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
4 : ¥3,063.15250
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
-
500V
180A
20 毫欧 @ 90A,10V
5V @ 10mA
560nC @ 10V
28000pF @ 25V
1250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6
APTM50HM35FG
MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
4 : ¥3,127.16750
散装
-
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
500V
99A
39 毫欧 @ 49.5A,10V
5V @ 5mA
280nC @ 10V
14000pF @ 25V
781W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
显示
/ 23

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。