FET、MOSFET 阵列

结果 : 22
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)2 个 N 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
261mA(Ta)340mA(Ta)350mA350mA(Ta)440mA(Ta)450mA(Ta)455mA(Ta)490mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2 欧姆 @ 100mA,4.5V2 欧姆 @ 50mA,5V3 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.1V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.5nC @ 4.5V0.8nC @ 4.5V1.04nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
32pF @ 30V41pF @ 30V
功率 - 最大值
500µW(Ta)300mW300mW(Ta)320mW320mW(Ta)330mW(Ta)470mW(Ta)500mW(Ta)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-26SOT-363SOT-563TSOT-26
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
22结果

显示
/ 22
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
DMN62D0UDW-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Diodes Incorporated
24,180
现货
384,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.65386
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
350mA
2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
32pF @ 30V
320mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 363
DMN62D0UDWQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Diodes Incorporated
25,288
现货
230,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.72455
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
350mA(Ta)
2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
32pF @ 30V
320mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 363
DMN62D0UDWQ-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Diodes Incorporated
5,350
现货
24,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75801
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
350mA(Ta)
2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
32pF @ 30V
320mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 563
DMN62D0UV-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.49A SOT563
Diodes Incorporated
2,459
现货
75,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59316
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
490mA(Ta)
2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
32pF @ 30V
470mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SOT 363
DMN62D0UDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Diodes Incorporated
9,405
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.54067
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
350mA
2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
32pF @ 30V
320mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 363
DMN62D4LDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Diodes Incorporated
0
现货
60,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥0.37768
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
261mA(Ta)
3 欧姆 @ 200mA,10V
2V @ 250µA
1.04nC @ 10V
41pF @ 30V
330mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
DMN62D2UDW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.44374
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
340mA(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
41pF @ 30V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 563
DMN62D2UV-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.43781
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
450mA(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
41pF @ 30V
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SOT 363
DMN62D4LDW-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Diodes Incorporated
0
现货
78,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥0.46407
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
261mA(Ta)
3 欧姆 @ 200mA,10V
2V @ 250µA
1.04nC @ 10V
41pF @ 30V
330mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 563
DMN62D2UVQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.46833
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
450mA(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
41pF @ 30V
500µW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
DMN62D2UDWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.50006
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
340mA(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
41pF @ 30V
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 563
DMN62D0UV-13
MOSFET 2N-CH 60V 0.49A SOT563
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.49046
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
490mA(Ta)
2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
32pF @ 30V
470mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
DMN62D2UDW-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.55468
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
340mA(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
41pF @ 30V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 563
DMN62D2UV-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.54727
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
450mA(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
41pF @ 30V
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMN62D2UVQ-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
72,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥0.58541
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
450mA(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
41pF @ 30V
500µW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
DMN62D2UDWQ-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
84,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥0.62507
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
340mA(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
41pF @ 30V
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
TSOT-26
DMN62D2UVT-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.67861
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
455mA(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
41pF @ 30V
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 26
DMN62D2UDM-7
2N7002 FAMILY SOT26 T&R 3K
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.69852
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
440mA(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
41pF @ 30V
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-26
TSOT-26
DMN62D2UVTQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.75701
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
455mA(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
41pF @ 30V
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 26
DMN62D2UDMQ-7
2N7002 FAMILY SOT26 T&R 3K
Diodes Incorporated
0
现货
84,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥0.78209
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
440mA(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
41pF @ 30V
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-26
TSOT-26
DMN62D2UVT-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.78806
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
455mA(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
41pF @ 30V
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMN62D2UVTQ-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
72,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥0.87911
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
455mA(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
41pF @ 30V
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
显示
/ 22

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。