FET、MOSFET 阵列

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
技术
MOSFET(金属氧化物)碳化硅(SiC)
配置
2 个 N 通道(半桥)4 个 N 通道
漏源电压(Vdss)
650V1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A(Tc)32A(Tc)53A(Tc)64A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
41 毫欧 @ 23A,10V64 毫欧 @ 20A,18V64 毫欧 @ 23A,10V97 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.75V @ 250µA5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
47nC @ 10V80nC @ 10V100nC @ 18V116nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2086pF @ 800V2211pF @ 100V3344pF @ 100V5900pF @ 100V
功率 - 最大值
208W(Tc)379W(Tc)424W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
9-PowerSMD32-PowerDIP 模块(1.264",32.10mm)
供应商器件封装
9-ACEPACK SMITACEPACK DMT-32
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SH32N65DM6AG
SH32N65DM6AG
MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK
STMicroelectronics
212
现货
1 : ¥168.05000
剪切带(CT)
200 : ¥130.59745
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
-
650V
32A(Tc)
97 毫欧 @ 23A,10V
4.75V @ 250µA
47nC @ 10V
2211pF @ 100V
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
9-PowerSMD
9-ACEPACK SMIT
AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DMT-32
M1F45M12W2-1LA
AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DMT-32
STMicroelectronics
22
现货
1 : ¥415.58000
管件
管件
在售
碳化硅(SiC)
4 个 N 通道
-
1200V(1.2kV)
30A(Tc)
64 毫欧 @ 20A,18V
5V @ 1mA
100nC @ 18V
2086pF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
32-PowerDIP 模块(1.264",32.10mm)
ACEPACK DMT-32
MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
SH63N65DM6AG
MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
STMicroelectronics
44
现货
1 : ¥216.08000
剪切带(CT)
200 : ¥167.91105
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
-
650V
53A(Tc)
64 毫欧 @ 23A,10V
4.75V @ 250µA
80nC @ 10V
3344pF @ 100V
424W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
9-PowerSMD
9-ACEPACK SMIT
MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
SH68N65DM6AG
MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥280.04000
剪切带(CT)
200 : ¥217.66245
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
-
650V
64A(Tc)
41 毫欧 @ 23A,10V
4.75V @ 250µA
116nC @ 10V
5900pF @ 100V
379W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
9-PowerSMD
9-ACEPACK SMIT
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。