FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
12V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA，360mA4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29 毫欧 @ 5A，4.5V1.7 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.3nC @ 4.5V15nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30pF @ 25V，25pF @ 25V500pF @ 6V
功率 - 最大值
450mW6.5W
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6 双SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 双SOT-563
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
434,419
现货
2,034,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85997
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
60V
500mA，360mA
1.7 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.3nC @ 4.5V
30pF @ 25V，25pF @ 25V
450mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SOT-563
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA517DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Vishay Siliconix
34,979
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.71223
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
12V
4.5A
29 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
15nC @ 8V
500pF @ 6V
6.5W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。