FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道
漏源电压（Vdss）
20V30V50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA2.5A，2A2.7A，1.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
80 毫欧 @ 2.7A，4.5V95 毫欧 @ 2.5A，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.5nC @ 4.5V6.6nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50pF @ 10V282pF @ 15V325pF @ 10V
功率 - 最大值
200mW700mW
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
SOT-363SuperSOT™-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
BSS138DW-7-F
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Diodes Incorporated
84,968
现货
1,065,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99217
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
50V
200mA
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
50pF @ 10V
200mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-363
SG6858TZ
FDC6333C
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
onsemi
28,552
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.66574
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.5A，2A
95 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
6.6nC @ 10V
282pF @ 15V
700mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SG6858TZ
FDC6327C
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
onsemi
31,506
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.67978
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
2.7A，1.9A
80 毫欧 @ 2.7A，4.5V
1.5V @ 250µA
4.5nC @ 4.5V
325pF @ 10V
700mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SuperSOT™-6
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。